【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及促进钛酸钾晶须生长的方法,属于材料
技术介绍
采用固相法制备钛酸钾晶须,一般实验室研究所用物料的量大多数都很少,所用坩埚一般也很小,而所用高温炉的温度均匀性也较好。因此在钛酸钾制备研究中,焙烧时的热传导、热辐射等焙烧条件均较为正常。但是,在工业化生产中,除了采用旋转炉之外,其它工业高温炉的焙烧条件与实验室高温炉的焙烧条件都有一定的差距,特别是物料厚度,从经济成本角度,一般物料不大可能很薄,常规粉体焙烧不仅会装满盒钵,甚至会压实。若升温过快,或热辐射不均匀,表层或局部温度过高,导致结壳或过烧,且钾源损失较大,深层的物料与表层物料的晶须生长就会受到较大的影响,特别是对于钛酸钾晶须,本身具有良好的保温性,表层结壳或过烧更减缓了热传导过程,不利于晶须的生长,影响了晶须生长的均一性。
技术实现思路
本专利技术就在于克服现有技术的不足,提出了,一方面能够使得晶须生长有较好的条件与环境,同时通过焙烧方式以及温度的配合与控制,使晶须生长较为均一。本专利技术是通过以下技术方案实现的,方法采用了晶须生长促进剂及水,与主要原料充分混合;焙烧采用薄料层一次焙烧或较厚料层两次焙烧的方式,促进钛酸钾晶须的生长,获得粗细、长短均一的晶须产品。晶须生长促进剂是由一种相对熔点低或易挥发钾盐以及一种低燃点无机或有机物粉末组合而成。相对熔点低或易挥发钾盐为氟化钾、氯化钾、氢氧化钾、硝酸钾,主要原料与易挥发钾盐按I : O. 03 O. 09质量分数混合;低燃点无机或有机物粉末为活性炭、淀粉、草酸、羧甲基纤维素,主要原料与低燃点无机或有机物粉末按I : O. 05 O. ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种促进钛酸钾晶须生长的方法,其特征是方法采用了晶须生长促进剂及水,与主要原料充分混合;焙烧采用薄料层一次焙烧或较厚料层两次焙烧的方式。2.根据权利要求I所述的方法,其特征是晶须生长促进剂是由一种相对熔点低或易挥发钾盐以及一种低燃点无机或有机物粉末组合而成。3.根据权利要求I或权利要求2所述的方法,其特征是相对熔点低或易挥发钾盐为氟化钾、氯化钾、氢氧化钾、硝酸钾,主要原料与易挥发钾盐按100 3 9质量分数混合;低燃点无机或有机物粉末为活性炭、淀粉、草酸、羧甲基纤维素,主要原料与低燃点无机或有机物粉末按100 : 5 10质量分数混合。4.根据权利要求I所述的方法,其特征是主要原料与水按100 0.2 2质量分数混口 o5.根据权利要求I所述的方法,其特征是薄料层是指焙烧时物料的堆积厚度为0.I 3...
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