【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电致发光材料，具体指一种基于位阻型bn有机化合物及其应用。
技术介绍
1、随着5g时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定等性能外，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。传统的荧光、磷光以及热活化延迟荧光材料(tadf)由于基态和激发态之间大的结构弛豫和振动耦合，往往表现出大的半峰宽，从而表现出较差的色纯度。
2、近年来备受关注的多重共振型热活化延迟荧光材料(mr-tadf)由于很好地抑制了基态和激发态之间的结构弛豫和振动耦合，可以实现高效的辐射跃迁速率的同时获得窄的半峰宽。然而大部分mr-tadf分子的结构表现出大的平面特性，受制于π-π相互作用，浓度淬灭和光谱展宽则严重影响了此类材料的实际应用和量产价值。
3、因此，对于目前的该类材料，有待于做进一步的改进。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的第一个技术问题是针对现有技术的现状，提供一种通过在窄谱带发射的硼/氮(b/n)骨架上引入大位阻基团从而缓解分子间的相互作用力进而提高应用价值的基于位阻型bn有机化合物。
2、本专利技术所要解决的第二个技术问题是针对现有技术的现状，提供一种上述基于位阻型bn有机化合物的应用，其制备的有机电致发光器件(oled)性能表现优良，除具有高外量子效率和低效率滚降特性，还表现出掺杂浓度不依赖的特征。
3、本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：
4、一种基于位阻型bn有机化合物，结构式为：>
5、
6、其中，r1、r2、r3、r4相同或不同，选自h、c1-c10的烷基、苯基或二苯胺基；
7、x1、x2相同或不同，选自o、s、亚砜基、砜基或se；或者，x1、x2中的至少一个不引入任何原子；
8、r5选自n-苯基咔唑，苯基取代的萘基，苯基取代的蒽基。
9、优选地，所述基于位阻型bn有机化合物的结构式为：
10、
11、其中，r1、r2、r3、r4相同或不同，选自h、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基或二苯胺基。
12、进一步优选，所述基于位阻型bn有机化合物的结构式为下式中的任意一种：
13、
14、
15、
16、一种基于位阻型bn有机化合物的应用，所述基于位阻型bn有机化合物用于制备多重共振型热活化延迟荧光材料。所述多重共振热活化延迟荧光材料用于制备有机电致发光器件。
17、在本专利技术中，所述基于位阻型bn有机化合物用于制备成圆偏振oled器件，所述的oled器件包括基片、阳极、空穴注入材料、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入材料和阴极，其中，所述的有机发光层包括主体材料和发光材料，所述的发光材料即为所述的基于位阻型bn有机化合物。
18、优选地，所述的基片为玻璃，所述的阳极为氧化铟锡(ito)，所述的空穴注入层为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(hat-cn)，所述的空穴层为4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺(tapc)，所述的电子传输层为1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(tmpypb)，所述的电子注入材料为lif，所述的阴极为金属al。
19、优选地，所述的主体材料为2，6-双((9h-咔唑-9-基)-3,1-亚苯基)吡啶(2,6dczppy)。
20、与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
21、(1)本专利技术在b/n骨架上引入大位阻基团，例如苯基取代的咔唑基、萘基、蒽基、酚唖嗪等，可以破坏b/n分子的平面性，进而减小分子间的相互作用力，提高材料的发光效率和器件效率；同时，实现共振面和位阻面的“面对面”空间布局，减小因共振面本征平面特征引起的分子间强的π-π相互作用力，抑制分子的非辐射跃迁，并通过b/n骨架的外围键合给受体单元，实现手性b/n发光在全波段发射中的光色调节；
22、(2)本专利技术中基于位阻型的b/n型多重共振热活化延迟荧光(mr-tadf)材料具有高的辐射跃迁速率，以及杂原子和轨道杂化共同促进的反系间跃迁速率，并具备窄谱带发射特征以及掺杂浓度不依赖的特征；本专利技术化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率，材料的荧光量子效率接近100％；本专利技术化合物的光谱fwhm较窄，能够有效提升器件的色纯度和发光效率；
23、(3)本专利技术化合物应用于高性能掺杂浓度不敏感的oled器件，可以作为发光层材料，在电激发下实现高效的窄谱带发射，可以应用于oled照明或者显示领域；
24、(4)利用本专利技术基于大位阻型的b/n型有机化合物制备的有机电致发光器件(oled)性能表现优良，除具有高外量子效率和低效率滚降特性，还表现出不敏感的浓度淬灭和光谱展宽特性，其在显示、3d显示与照明领域具有潜在的应用价值。
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1.一种基于位阻型BN有机化合物，其特征在于：结构式为
2.根据权利要求1所述的基于位阻型BN有机化合物，其特征在于：结构式为
3.根据权利要求2所述的基于位阻型BN有机化合物，其特征在于：结构式为下式中的任意一种
4.一种基于位阻型BN有机化合物的应用，其特征在于：所述基于位阻型BN有机化合物用于制备多重共振型热活化延迟荧光材料。
5.根据权利要求4所述的基于位阻型BN有机化合物的应用，其特征在于：所述多重共振热活化延迟荧光材料用于制备有机电致发光器件。
6.根据权利要求4所述的基于位阻型BN有机化合物的应用，其特征在于：所述基于位阻型BN有机化合物用于制备成圆偏振OLED器件，所述的OLED器件包括基片、阳极、空穴注入材料、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入材料和阴极，其中，所述的有机发光层包括主体材料和发光材料，所述的发光材料即为所述的基于位阻型BN有机化合物。
7.根据权利要求6所述的基于位阻型BN有机化合物的应用，其特征在于：所述的基片为玻璃，所述的阳极为氧化铟锡，所述的空穴注入层为2,3
8.根据权利要求6所述的基于位阻型BN有机化合物的应用，其特征在于：所述的主体材料为2，6-双((9H-咔唑-9-基)-3,1-亚苯基)吡啶。
...【技术特征摘要】
1.一种基于位阻型bn有机化合物，其特征在于：结构式为
2.根据权利要求1所述的基于位阻型bn有机化合物，其特征在于：结构式为
3.根据权利要求2所述的基于位阻型bn有机化合物，其特征在于：结构式为下式中的任意一种
4.一种基于位阻型bn有机化合物的应用，其特征在于：所述基于位阻型bn有机化合物用于制备多重共振型热活化延迟荧光材料。
5.根据权利要求4所述的基于位阻型bn有机化合物的应用，其特征在于：所述多重共振热活化延迟荧光材料用于制备有机电致发光器件。
6.根据权利要求4所述的基于位阻型bn有机化合物的应用，其特征在于：所述基于位阻型bn有机化合物用于制备成圆偏振oled器件，所述的oled器件包括基片、阳极、空穴注入材料、空穴...
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