石墨加热器、石墨电极和降低硅片中碳含量的方法技术

本发明专利技术提供了一种石墨加热器、石墨电极和降低硅片中碳含量的方法。该石墨加热器包括石墨加热器本体和设置在石墨加热器本体的表层的将石墨加热器本体与外界隔离开的隔离层。根据本发明专利技术的石墨加热器，设置在石墨加热器表层的隔离层能将石墨加热器和外界隔离开，进而能够防止高温条件下石墨加热器中的碳与外界反应。当利用本发明专利技术的石墨加热器、石墨电极和降低硅片中碳含量的方法制造单晶硅片时，能够有效降低硅片中碳杂质的含量，提高单晶片质量，同时降低企业的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造领域，更具体地，涉及一种。
技术介绍
目前光伏行业中，以硅基底制作的太阳能电池片占所有光伏电池的99%以上，而硅基片主要来源就是多晶硅铸锭和单晶棒拉制，在铸锭或单晶棒拉制过程中，常规的铸锭炉和单晶炉炉内的高温加热器和电极部件均采用石墨材料来制作。由于硅熔点较高，约1420°C左右，在多晶铸锭炉及单晶炉内需要1500°C以完成硅料熔化及再结晶过程。就多晶铸锭来说，目前单个硅锭重量一般在500kg左右，更有重达I吨的大尺寸硅锭，500kg硅锭的整个运行过程中，炉内温度在1300°C以上的时间至少有30个小时左右。单晶拉制过程中，目前单晶棒重量在130kg左右，整个拉制过程中炉内温度在1300°C的时间有50个小时以上。高温作用下,娃液同石英i甘祸一直发生氧化还原反应,产生一氧化娃气体，一氧化娃气体接触到高温石墨加热器和电极时，同样发生氧化还原反应，产生碳化硅和一氧化碳气体，具体反应过程如下:C(s)+SiO2(S) — SiO(g)+CO(g)......(I)Si0(g)+2C(s) — SiC(s)+C0(g)......(2) 反应(I)发生于硅液同石本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨加热器，其特征在于，包括石墨加热器本体和设置在所述石墨加热器本体的表层的将所述石墨加热器本体与外界隔离开的隔离层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘家明，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：