【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏材料加工设备领域，更具体地，涉及一种硅铸锭炉及其泄漏检测 装直。
技术介绍
在多晶硅铸锭生产过程中，可能会发生危险的熔硅泄漏事故。铸锭炉中设置有坩埚，由于硅在从液态向固态转变的过程中，坩埚内硅料的温度分布不均匀，容易造成坩埚开裂，进而造成熔硅泄漏事故，此外，还有其他原因也会造成熔硅泄漏，这里就不再一一列举。由于液体状态的熔硅温度可以高达1500摄氏度，泄漏发生后不仅硅料报废，而且高温熔硅还容易熔毁铸锭炉内的其他部件，造成严重的损失。现有的铸锭炉中缺少直接对熔硅进行泄漏检测的装置，即使有检测报警装置，也只是间接对熔硅进行检测，不能第一时间检测到熔硅泄漏。并且，现有的检测装置在实际使用过程中经常失效，即实际发生了熔硅泄漏，但是检测装置没有报警，这样会使泄漏情况变的非常危险，例如熔硅烧穿炉壁，并与冷却水接触，严重时会造成蒸汽爆炸。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种硅铸锭炉及其泄漏检测装置，以解决现有技术的不能有效的对熔硅泄漏情况进行检测的问题。为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种硅铸锭炉的泄漏检测装置，包括:托盘，托盘包括本体区域...
【技术保护点】
一种硅铸锭炉的泄漏检测装置，其特征在于，包括：托盘（10），所述托盘（10）包括本体区域（14）和围绕所述本体区域（14）的周向设置的熔硅承接区域（12），所述熔硅承接区域（12）上设置有多个通孔（11）；检测线（20），设置于所述托盘（10）的所述熔硅承接区域（12）的上表面，且所述检测线沿所述多个通孔（11）所构成的路径延伸，所述检测线（20）的引脚（21）穿过一个所述通孔（11）；以及检测单元，与所述引脚（21）电连接，用于检测所述检测线（20）的电阻。
【技术特征摘要】
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