晶体硅及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚内的温度，在单晶硅籽晶层熔化10%～90%时进入长晶阶段；控制长晶时的温度，在垂直于坩埚底部方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液沿单晶硅籽晶的晶向方向定向凝固，得到中间为单晶硅边缘为多晶硅的晶体硅，上述方法减少了单晶硅籽晶的用量，提高了边缘硅片的转换效率。还提供了一种通过该方法制得的晶体硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏材料制备领域，具体涉及一种。
技术介绍
太阳能光伏发电是目前发展最快的可持续能源利用的形式之一，近些年来在各国都得到了迅速的发展。目前，利用铸造法生产太阳能用单晶硅的方法受到了越来越多的关注。铸造单晶硅具有直拉单晶硅低缺陷的优点，并且可以通过碱制绒的方法形成金字塔型的织构，提闻对光的吸收，从而提闻转化效率；同时，铸造单晶娃也具有铸造多晶娃生广成本低，产量高的优点。因此，铸造单晶硅继承了直拉单晶硅和铸造多晶硅的优点，克服了两种方式各自的缺点，生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。在不明显增加硅片成本的前提下，使电池转换效率提高1%以上。成为降低太阳能电池生产成本的重要途径。但是受到坩埚壁形核以及长晶时固液界面的影响，在靠近坩埚面的硅锭中，出现了多晶形核，并且有大量的位错积累，出现多晶与单晶相互交互的硅片，这些边缘硅片的转换效率偏低，甚至低于普通多晶硅片。同时由于单晶硅中单晶硅籽晶生产成本高，使铸造单晶硅片的成本较普通多晶硅片偏高，这些严重制约铸造单晶硅片的大量生产。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种晶体娃的制备方法，能够减少单晶娃杆晶的使用量，提闻靠近坩埚侧壁的边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，然后在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在所述单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚内的温度，在所述单晶硅籽晶层熔化10%～90%时进入长晶阶段；控制长晶时的温度，在垂直于坩埚底部方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液沿单晶硅籽晶的晶向方向定向凝固，得到中间为单晶硅边缘为多晶硅的晶体硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，胡亚兰，游达，郑玉芹，徐岩，郑循强，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：