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本发明涉及一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚内的温...
该专利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏协鑫硅材料科技发展有限公司授权不得商用。

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