晶片加工方法技术

提供一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第１间隔道和第２间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第１间隔道以及与第１间隔道交叉形成的多个第２间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，该方法包括：第１变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧沿着第１间隔道照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第１间隔道形成连续的第１变质层；和第２变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第２间隔道、但与第１间隔道的交叉部除外，照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第２间隔道、但与第１间隔道的交叉部除外，形成第２变质层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，在晶片的内部沿着第1间隔道(street)和第2间隔道 形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠由氮化物半导体构成的发光层，在由沿预定 方向延伸的多个第1间隔道以及与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的 多个区域中形成有光器件。
技术介绍
在光器件的制造工艺中，在蓝宝石基板的表面层叠由氮化物半导体构成的发光层 (外延层)，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道以及与该多个第1间隔道交叉形成的多 个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件。通过沿着第1间隔道和第2间隔道进行 切断，该形成有多个光器件的晶片被分割成各个发光二极管等光器件，在电气设备中被广 泛利用。这种沿着晶片的间隔道进行的切断通常是利用使环状的切削刀片高速旋转并切 削的切削装置来进行。但是，蓝宝石基板是莫氏硬度较高的难切削材料，所以需要降低加工 速度，存在生产性较差的问题。近年来，作为沿着间隔道切割晶片的方法提出了以下方法沿着间隔道照射对于 晶片而言具有吸收性的脉冲激光，由此形成激光加工槽，通过沿着该激光加工槽施加外力 来进行割断。(例如，参照专利文献1)然而，在沿着形成于蓝宝石基板的表面的间隔道照射激光而形成激光加工槽时， 发光二极管等光器件的外周被烧蚀，亮度降低，存在光器件的质量下降的问题。为了解决这种问题，下述专利文献2公开了一种蓝宝石基板的加工方法，从没有 形成由氮化物半导体构成的发光层(外延层)的蓝宝石基板的背面侧，沿着间隔道照射对 于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，并使会聚点位于内部，在蓝宝石基板的内部 沿着间隔道形成变质层，由此沿着形成有变质层的间隔道来分割蓝宝石基板。专利文献1日本特开平10-305420号公报专利文献2日本特开2008-6492号公报在上述专利文献2公开的蓝宝石基板的加工方法中，虽然光器件的亮度降低得到 了一定程度的改善，但是在间隔道的交叉点处先前形成的变质层被激光照射时，激光的会 聚状态变差，泄漏到由氮化物半导体构成的发光层中的激光量增加，由氮化物半导体构成 的发光层受到损伤，有可能使光器件的发光功能变差。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而提出的，其主要技术课题是提供一种， 能够在蓝宝石基板内部沿着间隔道形成变质层，而不会对形成于蓝宝石基板表面的光器件 造成损伤。为了解决上述的主要技术课题，根据本专利技术提供一种，在晶片的内部沿着第1间隔道和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道和与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所 划分的多个区域中形成有光器件，所述的特征在于，包括第1变质层形成步 骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第1间隔道照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长 的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第1间隔道形成连续 的第1变质层；和第2变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第2间隔道、但与第 1间隔道的交叉部除外，照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于 蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外， 形成第2变质层。根据本专利技术的，在沿着第2间隔道在蓝宝石基板的内部形成第2变 质层的第2变质层形成步骤中，从蓝宝石基板的背面侧，按照与已经沿着第1间隔道连续形 成的第1变质层的交叉部除外的方式照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光， 使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道(但与第1间隔道 的交叉部除外)形成第2变质层，所以不存在激光与第1变质层发生干涉而导致会聚状态 恶化的情况。因此，能够解决下述问题，即，由于激光与第1变质层发生干涉而导致会聚状 态恶化，泄漏到发光层的激光量增加而对发光层造成损伤，致使光器件的发光功能下降。附图说明图1是利用本专利技术的加工的晶片的立体图以及放大示出要部的剖 视图。图2是示出在将图1所示的晶片贴附于安装在环状框架上的保护带的表面上的状 态的立体图。图3是用于实施本专利技术的的第1变质层形成步骤和第2变质层形成 步骤的激光加工装置的要部立体图。图4是本专利技术的的第1变质层形成步骤的说明图。图5是本专利技术的的第2变质层形成步骤的说明图。图6是本专利技术的的第2变质层形成步骤的说明图。标号说明2晶片；20蓝宝石基板；21发光层(外延层)；22第1间隔道；23第2间隔道；24 光器件；210第1变质层；220第2变质层；3环状框架；4保护带；5激光加工装置；51激光 加工装置的卡盘工作台；52激光照射单元；53摄像单元。具体实施例方式下面，参照附图具体说明本专利技术的的优选实施方式。图1 (a)和(b)示出按照本专利技术的加工的晶片的立体图。图1 (a)和 (b)示出的晶片2，在例如厚度150 μ m的蓝宝石基板20的表面20a层叠了由氮化物半导体 构成的发光层(外延层)21。并且，在通过沿预定方向延伸的多个第1间隔道22以及垂直 于该多个第1间隔道22形成的多个第2间隔道23对发光层(外延层)21进行划分后得到 的多个区域中形成有光器件24。上述图1所示的晶片2如图2所示，将发光层(外延层)21的正面侧贴附在安装 于环状框架3上的、由聚烯烃等合成树脂片构成的保护带4上(保护带贴附步骤)。因此， 晶片2使蓝宝石基板20的背面20b成为上侧。在实施了上述保护带贴附步骤后，实施第1变质层形成步骤，从蓝宝石基板20的背面侧，沿着第1间隔道22照射对于蓝宝石基板20而言具有透射性的波长的激光，使会聚 点位于蓝宝石基板20的内部，在蓝宝石基板20的内部沿着第1间隔道22形成连续的第1 变质层。使用图3所示的激光加工装置5实施该第1变质层形成步骤。图3所示的激光加 工装置5具有卡盘工作台51，其保持被加工物；激光照射单元52，其向保持在该卡盘工作 台51上的被加工物照射激光；和摄像单元53，其拍摄保持在卡盘工作台51上的被加工物。 卡盘工作台51构成为吸引保持被加工物，通过未图示的加工进给单元向图3中箭头X所示 的加工进给方向移动，同时通过未图示的分度进给单元向图3中箭头Y所示的分度进给方 向移动。另外，图3所示的激光加工装置5具有用于检测卡盘工作台51的加工进给量的加 工进给量检测单元(未图示)，该加工进给量检测单元向未图示的控制单元发送检测信号。 并且，未图示的控制单元具有存储器，该存储器存储有形成于上述晶片2上的第1间隔道22 与第2间隔道23的交叉点的坐标值，该控制单元将该交叉点坐标值与来自加工进给量检测 单元的检测信号进行对照，并向激光照射单元52输出控制信号。上述激光照射单元52包括实质上水平配置的圆筒形状的壳体521。在壳体521内 设有未图示的脉冲激光振荡单元，其具有由YAG激光振荡器或者YV04激光振荡器构成的脉 冲激光振荡器、和反复频率设定单元。在上述壳体521的前端部安装有会聚器522，其用于 将由脉冲激光振荡单元振荡出的脉冲激光会聚。安装在构成上述激光照射单元52的壳体521的前端部的摄像单元53，在图示的实 施方式中，构成为，除了利用可见光进行拍摄的普通摄像元件(CCD)以外，还具有向被加工 物照射红外线的红外线照明单元、捕捉该红外线照明单元所照射的红外线的光学系统、以 及输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第１间隔道和第２间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第１间隔道和与该多个第１间隔道交叉形成的多个第２间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，所述晶片加工方法的特征在于，包括：第１变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第１间隔道照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第１间隔道形成连续的第１变质层；和第２变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第２间隔道、但与第１间隔道的交叉部除外，照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第２间隔道、但与第１间隔道的交叉部除外，形成第２变质层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：星野仁志，能丸圭司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]