【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件。
技术介绍
目前，制作适合在紫外、蓝、绿电磁波谱下工作的发光器件或“LED”(包括发光二极管，激光二极管，光探测器等)最成功的材料是III族氮化合物半导体材料，尤其是氮化镓基化合物半导体材料。然而，氮化镓在制作工作器件中引出了一系列特殊技术问题。主要问题是缺少大体积的氮化镓单晶，相应地意味着氮化镓或其他III族器件必须在其他材料上形成外延层。蓝宝石(即氧化铝或Al2O3)已经普遍用作III族氮化物的衬底。蓝宝石具有与III族材料较好的晶格匹配，热稳定性以及透明性，所有这些在制作发光二极管时通常是非常有用的。然而，作为一种电绝缘材料，蓝宝石也具有其缺点，即经过发光二极管产生光发射的电流不能通过蓝宝石衬底。这样，必须制作其他种类的与LED的连接，例如将器件正负极放在LED芯片同一侧的所谓“平行”结构。一般来说，优选将LED制作在导电衬底上，使得欧姆接触能放在器件相反的两端。这种称为“垂直”的器件由于众多原因而成为优选，包括同平行器件相比，易于制作。相对于蓝宝石，碳化硅能够进行导电掺杂，因此可以有...
【技术保护点】
１．一种电子器件，包括：碳化硅衬底，具有第一和第二表面，并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度；注入掺杂原子区，从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离，所述区域的掺杂浓度比所述衬底剩余部分的掺杂浓度高；以及位于所述导电碳化硅衬底的第一表面上的导电缓冲区；位于所述导电缓冲区上的有源区；位于所述有源区上的第一电接触；以及位于所述碳化硅衬底的第二表面上的第二电接触。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴维斯·安德鲁·麦克卢尔，亚历山大·苏沃洛夫，约翰·亚当·埃德蒙，小戴维·比尔兹利·斯莱特，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US
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