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本发明公开了处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件。电子器件，包括：碳化硅衬底，具有第一和第二表面，并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度；注入掺杂原子区，从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离，所述区域的掺杂浓度比所述衬底...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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