【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅外延技术，特别是涉及一种碳化硅外延炉的配件处理方法。
技术介绍
碳化硅作为第三代半导体，具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作，用碳化硅代替硅材料作为结构层可以很大程度上提高电力电子器件和MEMS器件的可靠性，特别是在恶劣环境检测领域，可以使器件失效的可能性降到最低。因此，碳化硅具有巨大的应用潜力。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延晶片。目前碳化硅外延生长已经实现了商业化，通常采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长碳化硅外延晶片。碳化硅外延片的CVD外延生长是将衬底置于反应室中，将硅源源气(例如硅烷)及碳源源气(例如丙烷)通入反应室中，在1600℃左右的高温下源气分解后反应生成碳化硅并沉积于衬底上。在反应室的边缘区域，由于温度偏低，部分硅单质以液体形式降落在炉内的配件上，随着温度的常态降低就凝固成坚硬的固态，牢牢附着在配件上。硅附着达到一定程度后会对工艺产生重大影响，而目前尚无有效的方法去除，使用一段时间后只能废弃重新更换，增加了生产的成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种碳化硅外延炉的配件处理方法，其克服了现有技术所存在的不足之处。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，该方法包括以下步骤：1)调整碳化硅外延炉内温度至1000℃～1200℃；2...
【技术保护点】
一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，其特征在于包括以下步骤：1)调整碳化硅外延炉内温度至1000℃～1200℃；2)向碳化硅外延炉中通入氯化氢气体至配件上沉积的硅完全去除，冷却至室温。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，其特征在于包括以下步骤：1)调整碳化硅外延炉内温度至1000℃～1200℃；2)向碳化硅外延炉中通入氯化氢气体至配件上沉积的硅完全去除，冷却至室温。2.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉的配件处理方法，其特征在于：所述氯化氢气体的流量为0.1～10slm，通气时间为1～100min。3.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉的配...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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