一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法技术

本发明专利技术公开一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法，包括如下步骤：S1，待检的SiC外延片置于检测台面上，采用光线照射SiC外延片表面；S2，按照平面反射光栅模型的原理，调整好光线与SiC外延片的相对位置，定义光线与SiC外延片的法线的夹角为光线的入射角α，检测过程中，光线的入射角α在0

【技术实现步骤摘要】
一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法


[0001]本专利技术涉及晶片制造
，具体涉及一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法。

技术介绍

[0002]目前行业内标准的4H
‑
SiC同质外延生长模式是在4度斜切的衬底上采用台阶流生长模式进行外延生长，该外延生长模式下，极易造成外延表面台阶聚集(step bunching)，特别是若所用的衬底表面存在因化学机械抛光(CMP)工艺异常导致划伤或压损伤时，外延后对应位置表面则极易出现宏观台阶聚集(即macro
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step bunching，本专利技术中称其为台阶聚集缺陷)。SiC外延表面台阶聚集到一定程度即形成台阶聚集缺陷，造成表面粗糙，从而对电力电子器件的性能造成较为严重的影响。据目前行业内各器件厂家的研究分析结果表明，SiC外延片表面台阶聚集缺陷会增加MOSFET器件的表面态，降低沟道载流子的迁移率，大幅降低器件的性能，甚至造成器件直接失效。因此SiC外延表面台阶聚集缺陷缺陷作为MOSFET器件的致命缺陷，需要被有效且快速地检测出。目前行业内检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，待检的SiC外延片置于检测台面上，采用光线照射SiC外延片表面；S2，按照平面反射光栅模型的原理，调整好光线与SiC外延片的相对位置，定义光线与SiC外延片的法线的夹角为光线的入射角α，检测过程中，光线的入射角α在0
°
～90
°
范围内逐渐改变；S3，在改变光线的入射角α的同时，从与光线入射方向相反的一侧观察在SiC外延片光照区域的相应表面处是否出现衍射带；若在SiC外延片光照区域的相应表面处能够观察到衍射带，则判定衍射带处所对应的SiC外延片表面存在台阶聚集缺陷；若在SiC外延片光照区域的相应表面处未观察到衍射带，则判定SiC外延片光照区域的相应表面处不存在台阶聚集缺陷。2.根据权利要求1所述的SiC外延片表面的台阶聚集缺陷的检测方法，其特征在于：若SiC外延片表面存在台阶聚集缺陷，该台阶聚集缺陷处的台阶间距等于3～8um，该SiC外延片表面的台阶聚集缺陷处能够形成平面反射光栅模型，且该平面反射光栅模型的光栅公式满足mλ＝d(sinα+sinβ)，其中，d为光栅常数,且d值大小等于台阶聚集缺陷处的台阶间距，m为衍射带级次，λ为入射光线的光波波长，α为入射光线的入射角，β为衍射光线的衍射角。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志霞，陈能珠，陈夏丽，马长明，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：