The invention provides a LED chip and a preparation method thereof, including a LED chip according to the invention, the substrate (1); N type gallium nitride layer formed on a substrate (2), (1) above; the active layer (3), formed in the N type gallium nitride layer (2) above; P a gallium nitride layer (4), formed on the active layer (3) above; and a transparent electrode (5), formed in the P type gallium nitride layer (4) above the substrate (1) of the surface is coated with a reflective layer (8). According to the LED chip of the present invention, the reflectivity of the back light of the invention is high, and the luminous efficiency is also improved.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED芯片及其制备方法。
技术介绍
目前，传统的蓝宝石衬底GaN大功率芯片的主要品质特征参数为光的提取效率和可靠性，而且提取效率会对可靠性有很大影响，因此光的提取效率对大功率芯片的品质特性影响较大。光的提取效率一般可分为内量子效率和外量子效率内量子效率是指将注入的电能转化为光能量的效率，目前已能达到70-80%，对于外延生长好的芯片其内量子效率甚至能达到90% ；外量子效率是指将光能量从芯片中提取出来的效率，目前只有40-50%， 仍然存在很大的改善空间。所以目前的LED大功率芯片制备厂商均以提高外量子效率为首要研发目标。导致外量子效率低的一个方面是因为在芯片上存在背面光的损失，背面光的损失主要有以下几个方面，一是背面激光切割导致侧壁灼伤层呈黑色，吸光严重；二是部分背面光由芯片射出后由于射出角度的原因从背面折射出光而浪费。因此，增加背面光的反射是提高芯片外量子效率的一条重要途径。目前流行的方法是在芯片衬底背面制作分散布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector)和背金属层(其中的一种或者两者的组合方式)。 在众多金属中，铬(C...
【技术保护点】
１．一种ＬＥＤ芯片，包括：衬底（１）；Ｎ型氮化镓层（２），形成在所述衬底（１）的上方；有源层（３），形成在所述Ｎ型氮化镓层（２）的上方；Ｐ型氮化镓层（４），形成在所述有源层（３）的上方；以及透明电极（５），形成在所述Ｐ型氮化镓层（４）的上方，其特征在于，所述衬底（１）的下表面镀有反射层（８）。
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括 衬底⑴；N型氮化镓层(2)，形成在所述衬底(1)的上方； 有源层(3)，形成在所述N型氮化镓层(2)的上方； P型氮化镓层(4)，形成在所述有源层(3)的上方；以及透明电极(5)，形成在所述P型氮化镓层(4)的上方， 其特征在于，所述衬底(1)的下表面镀有反射层(8)。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层(8)为DBR反射镜。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层(8)的下表面镀有金属层(9)。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层(9)由以下金属Cr、Pt 禾口 Au中的一种以上构成。5.根据权利要求1-4任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底(1)的下表面为经抛光的光滑面。6.一种LED芯片的制备方法，包括 步骤a)在衬底上生长N型氮化镓层；步骤b)在所述N型氮化镓...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宁湘，许亚兵，罗正加，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：43
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