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本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，根据本发明的LED芯片，包括：衬底(1)；N型氮化镓层(2)，形成在衬底(1)的上方；有源层(3)，形成在N型氮化镓层(2)的上方；P型氮化镓层(4)，形成在有源层(3)的上方；以及透明电极(5)，形...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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