发光二极管制造技术

一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130 至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光 部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合 物半导体层的透明衬底(14)、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述 主光提取表面上形成的极性相反的第一和第二电极(15、16)。在通过去 除所述半导体层(132至134)而暴露的化合物半导体层的一部分上的位置 处形成所述第二电极，并且所述第二电极具有由所述半导体层包围的其周 边。所述主光提取表面具有最大宽度为0.8mm或更大的外部形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管，具体而言涉及具有高亮度的透明衬底、接合 型、大尺寸的发光二极管。
技术介绍
作为能够发射红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的发光二极管 (LED )，迄今已7>知具有由铝镓铟砩化物((AlxGahx)Ylih-YP,其中0^X￡l 和0<Y^1)形成的发光层的化合物半导体LED。在这种LED中， 一般在 例如砷化镓(GaAs)的衬底材料上形成具有由(AlxGa^)Yli^YP (其中 O^X^l和0<Y^1)形成的发光部分，该衬底对于从发光层发射的光而言是 不透明的而且机械强度不强。因此，近年来为了获得更高亮度的可见光LED以及为了进一步提高 器件的机械强度，已开发了用于构建接合LED的技术，该技术去除了对 于发射的光而言不透明的衬底材料，然后重新并入这样的支撑层，该支撑 层由能够透射发射的光的透明材料构成并且机械强度比以前更好(例如， 参考日本专利No.3230638， JP-A HEI 6302857， JP-A2002-246640,日本专 利2588849以及JP-A 2001-57441 )。为了获得高亮度的可见光LED ，已采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，具有主光提取表面并包括：　化合物半导体层，其包括半导体层；　发光部分，其被包含在所述化合物半导体层中；　发光层，其被包含在所述发光部分中；　透明衬底，其被接合到所述化合物半导体层；以及　相反极性的第一电极和第二电极，形成在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上；　其中所述第二电极被形成在通过去除所述半导体层而暴露的所述化合物半导体层的一部分上的位置处并具有由所述半导体层包围的周边；以及　其中所述主光提取表面具有这样的外部形状，所述外部形状具有０．８ｍｍ或更大的最大宽度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：舛谷享祐，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP