半导体器件、双镶嵌结构的制作方法技术

一种半导体器件、双镶嵌结构的制作方法。其中双镶嵌结构的制作方法，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上依次形成第一覆盖层、第一层间绝缘层、第二覆盖层；刻蚀第二覆盖层、第一层间绝缘层至露出第一覆盖层，形成接触孔；在接触孔内填充满底部抗反射层；在第二覆盖层和底部抗反射层上依次形成第二层间绝缘层；刻蚀第二层间绝缘层至露出第二覆盖层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀第一覆盖层至露出金属布线层，形成双镶嵌结构。本发明专利技术防止在刻蚀过程中接触孔内产生刻蚀残留而导致的条纹缺陷，提高了后续半导体器件的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体器件制作技术的飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构。由于集成电路中所含器件的数量不断增加，器件的尺寸也因集成度的提升而不断地縮小，器件之间的高性能、高密度连接不仅在单个互连层中进行，而且要在多层之间进行互连。因此，通常提供多层互连结构，其中多个互连层互相堆叠，并且层间绝缘膜置于其间，用于连接半导体器件。特别是利用双镶嵌(dual-damascene)工艺形成的多层互连结构，其预先在层间绝缘膜中形成沟槽(trench)和接触孔(via)，然后用导电材料填充所述沟槽和接触孔。例如申请号为02106882. 8的中国专利申请文件提供的双镶嵌结构制作工艺，因为双镶嵌结构能避免重叠误差以及解决习知金属工艺的限制，双镶嵌工艺便被广泛地应用在半导体制作过程中而提升器件可靠度。因此，双镶嵌工艺已成为现今金属导线连结技术的主流。 现有制作双镶嵌结构的方法参考图1至图4。如图1所示，提供半导体衬底100，在半导体衬底100上形成有金属布线层102 ;在金属布线层102上形成厚度为600埃 800埃的第一覆盖层104 ;在第一覆盖层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上依次形成第一覆盖层、第一层间绝缘层、第二覆盖层；刻蚀第二覆盖层、第一层间绝缘层至露出第一覆盖层，形成接触孔；在接触孔内填充满底部抗反射层；在第二覆盖层和底部抗反射层上依次形成第二层间绝缘层；刻蚀第二层间绝缘层至露出第二覆盖层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀第一覆盖层至露出金属布线层，形成双镶嵌结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，孙武，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]