ＭＯＳ晶体管及其制作方法技术

一种ＭＯＳ晶体管及其制作方法，其中ＭＯＳ晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内的有源区包括ＭＯＳ晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的ＭＯＳ晶体管的阈值电压；在ＭＯＳ晶体管的沟道区域内引入碳离子，所述引入碳离子步骤在引入第一离子之前或者之后、或者在引入第二离子之前或者之后进行。相应地，本发明专利技术还提供采用上述制作方法制作的ＭＯＳ晶体管。本发明专利技术通过在ＭＯＳ晶体管的沟道区域内引入碳离子，阻止后续在ＭＯＳ晶体管的沟道区域内注入的离子在后续的氧化形成栅介质层工艺中扩散，从而达到抑制瞬态增强扩散效应目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及MOS晶体管及其制作方法。
技术介绍
随着晶体管栅极长度的持续縮小，氧化增强扩散 (Oxidation-EnhancedDiffusion， OED)成为影响硼离子和磷离子扩散的关键因素，由于 OED效应，造成了瞬态增强扩散效应(TED)，而瞬态增强扩散效应不仅造成晶体管的短沟道 效应，而且影响晶体管沟道迁移率、结电容以及结漏电流。 现有技术公开了一种利用注入碳基团(carbon cluster)形成浅结以控制晶体管 的源、漏极内的硼离子的扩散，通过高剂量的注入碳基团以在硅衬底内形成应力，具体内容 下面参照图l至2加以详细说明。 图1为现有技术的在形成CMOS器件中注入有碳离子基团的剖面结构示意图，包 括位于半导体衬底中的n阱81和P阱82 ;位于半导体衬底中的隔离结构85 ;位于半导体 衬底上的栅介质层84以及栅电极83，另外，光刻胶掩模层86形成于PMOS区域。 首先，碳离子基团88注入在未掩膜的区域，该注入区域将成为nM0S的漏极延 伸区，注入深度通常为20 50nm或者更低，所述注入的碳离子的剂量范围为3E14至 2E15cm—2，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＯＳ晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为待形成ＭＯＳ晶体管的不同有源区，所述有源区包括ＭＯＳ晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的ＭＯＳ晶体管的阈值电压；其特征在于，还包括：在ＭＯＳ晶体管的沟道区域内引入碳离子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]