一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法技术

本发明专利技术公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发明专利技术加固后的集成电路版图在粒子轰击NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态脉宽；且本发明专利技术仅涉及晶体管版图位置的改变，没有面积开销。

A single particle transient reinforcement method for bombarding NMOS transistors with no area overhead

The invention discloses a single particle transient reinforcing method aiming at the area overhead of a bombarded NMOS transistor, and aims to solve the problem that the area of a single particle transient strengthening technique for a bombarding NMOS transistor is relatively large. The technical scheme is the disconnect between the substrate contact, PMOS transistor and NMOS transistor metal gate; along the extending direction of the mobile NMOS transistor active region, the minimum spacing interval of NMOS transistor active region and N well meet the prescribed design rules for semiconductor foundries, mobile NMOS active region distance is L; the gate the length of L is reduced, the polysilicon NMOS beyond the length of the active region and the conventional layout; recovery between substrate contact, PMOS transistor and NMOS transistor metal connection. The invention adopts the integrated circuit layout after reinforcement in particle bombardment NMOS transistor, NMOS transistor charge can accelerate the particle deposition in release, reduced single particle transient pulse width; and the invention involves only the transistor layout position change, no area overhead.

【技术实现步骤摘要】
一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法
本专利技术涉及纳米CMOS集成电路抑制单粒子瞬态(SET,Single-EventTransient)的版图加固技术，特别涉及一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法。
技术介绍
在宇宙空间中，存在着大量粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些粒子的轰击后，会产生单粒子瞬态。单粒子瞬态对于集成电路的正常工作将产生极大的负面影响。例如，当单粒子瞬态脉冲传播至集成电路内部的存储节点时，有可能诱发单粒子翻转(SEU,Single-EventUpset)。粒子轰击集成电路的线性能量传递(LET,LinearEnergyTransfer)值越高，产生的单粒子瞬态脉冲宽度将会越大，对集成电路构成的威胁就越大。航空航天领域中使用的集成电路都会受到单粒子瞬态的威胁，使集成电路工作不稳定，甚至产生致命的错误。L.W.Massengill等人在IEEETransactiononNuclearScience(IEEE核科学汇刊)上发表的“SingleEventTransientsinDigitalCMOS-AReview”(关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，其特征包括以下步骤：第一步，断开衬底接触与NMOS晶体管之间的金属连接，断开PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；第二步，沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；第三步，将栅极长度减小L使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；第四步，将第一步断开的衬底接触与NMOS晶体管之间的金属连接，PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接进行恢复。

【技术特征摘要】
1.一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，其特征包括以下步骤：第一步，断开衬底接触与NMOS晶体管之间的金属连接，断开PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；第二步，沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书明，吴振宇，梁斌，胡春媚，池雅庆，陈建军，黄鹏程，宋睿强，张健，刘蓉容，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43