用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法技术

本发明专利技术公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相互靠近，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；将断开的连接恢复。采用本发明专利技术可以增强同一逻辑门内部PMOS和NMOS晶体管之间的电荷共享，削弱PMOS晶体管受到粒子轰击时所引发的寄生双极放大效应，具有很好的抗单粒子瞬态加固效果。

Nano CMOS domain reinforcement method for suppressing single particle transient by rotating transistor

The invention discloses a method for reinforcing a nano CMOS domain with a rotating transistor to suppress single particle transients, with the aim of suppressing single particle transients. The technical scheme is to disconnect the polycrystalline and metal layout connection; the PMOS transistor 90 degrees clockwise around the centroid, the NMOS transistor is rotated 90 degrees counterclockwise around the center of mass; PMOS and NMOS transistors are close to each other, will N well contact to the PMOS mobile N and PMOS doped transistor until the transistor active region of contact. The mobile substrate contact until P doped with NMOS transistor active region to contact NMOS transistor; transistor active region PMOS to N well contact active region extends to the contact, the NMOS transistor active region to the substrate contact active region extends until the two contact will restore the connection open. The invention can enhance the charge between the internal logic gate NMOS transistor PMOS and PMOS transistors are shared, weakened by the parasitic bipolar amplification effect of particle bombardment, has good anti single particle transient effect.

【技术实现步骤摘要】
用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法
本专利技术涉及纳米CMOS集成电路抑制单粒子瞬态(SET，Single-EventTransient)的版图加固技术，特别涉及用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法。
技术介绍
在宇宙空间中，存在着大量粒子(质子、电子、重离子等)。集成电路受到这些粒子的轰击后，会产生单粒子瞬态。单粒子瞬态对于集成电路的正常工作将产生极大的负面影响。例如，当单粒子瞬态脉冲传播至集成电路内部的存储节点时，有可能诱发单粒子翻转(SEU，Single-EventUpset)。粒子轰击集成电路的线性能量传递(LET，LinearEnergyTransfer)值越高，产生的单粒子瞬态脉冲宽度越大，对集成电路构成的威胁就越大。航空航天领域使用的集成电路都会受到单粒子瞬态的威胁，使集成电路工作不稳定，甚至产生致命的错误。L.W.Massengill等人在IEEETransactiononNuclearScience(IEEE核科学汇刊)上发表的“SingleEventTransientsinDigitalCMOS-AReview”(关于数字CMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，断开集成电路版图中PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接和多晶连接、PMOS晶体管与N阱接触之间的金属连接、NMOS晶体管与衬底接触之间的金属连接；第二步，将PMOS晶体管绕该PMOS晶体管的质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕该NMOS晶体管的质心逆时针旋转90度；第三步，将PMOS晶体管和NMOS晶体管相互靠近直至两者间距达到半导体代工厂提供的设计规则所允许的最小间距；第四步，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMO...

【技术特征摘要】
1.一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，断开集成电路版图中PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接和多晶连接、PMOS晶体管与N阱接触之间的金属连接、NMOS晶体管与衬底接触之间的金属连接；第二步，将PMOS晶体管绕该PMOS晶体管的质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕该NMOS晶体管的质心逆时针旋转90度；第三步，将PMOS晶体管和NMOS晶体管相互靠近直至两者间距达到半导体代工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书明，吴振宇，梁斌，胡春媚，池雅庆，陈建军，黄鹏程，宋睿强，张健，刘蓉容，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43