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本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相...
该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。

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