An integrated circuit includes a first transistor, the first transistor includes a first current electrode and the second current electrode and the main connection; first conductor, the first conductor is coupled between the first current electrode and the first power supply voltage; and a second conductor, the second conductor coupled to the second electrode current. The resistance of the second wire is greater than at least 5% of the resistance of the first wire. The main body coupling is coupled to the second power supply voltage. The first supply voltage is different from the second supply voltage.
【技术实现步骤摘要】
具有省电特征的集成电路
本专利技术大体上涉及集成电路,且更具体地说,涉及具有省电特征的集成电路。
技术介绍
省电持续成为对集成电路的重要要求,包括那些具有高性能要求的集成电路,例如处理器和芯片上系统(SoC)装置。在各种应用中会需要减小功耗,所述各种应用可以是或可以不是其中电池为功率源的情形。例如,电流的量会影响携载电流的结构的尺寸或特性,例如导电性。热量产生也会是重要的问题。耗散热量会要求大量额外的结构,例如风扇和散热片。另外,可能存在与恶劣的环境条件相关的要求,在所述环境条件下必须能够消耗电流。所述环境条件可能形成其中会因正常操作而大大增大例如泄漏电流等不合需要的电流的情形。因此,需要另外改进控制集成电路中的电流。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供一种集成电路,包括:第一晶体管,所述第一晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结;第一导线,所述第一导线耦合在所述第一电流电极与第一电源电压之间;以及第二导线,所述第二导线耦合到所述第二电流电极,其中所述第二导线的电阻比所述第一导线的电阻至少大5%,其中所述主体联结耦合到第二电源电压,并且所述第一电源电压不同于所述第二电源电压。根据本专利技术的另一方面,提供一种方法,包括:在集成电路的有源装置层中形成晶体管,其中所述晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结;在所述集成电路的互连层中形成互连结构;在所述集成电路的强力金属层中形成第一导线,其中所述第一导线通过第一组所述互连结构耦合到所述第一电流电极;以及在所述集成电路的所述强力金属层中形成第二导线,其中所述第二导线通过第二组所述互连结构耦合到 ...
【技术保护点】
一种集成电路,其特征在于,包括:第一晶体管,所述第一晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结;第一导线,所述第一导线耦合在所述第一电流电极与第一电源电压之间;以及第二导线,所述第二导线耦合到所述第二电流电极,其中所述第二导线的电阻比所述第一导线的电阻至少大5%,其中所述主体联结耦合到第二电源电压,并且所述第一电源电压不同于所述第二电源电压。
【技术特征摘要】
2015.09.22 US 14/860,9011.一种集成电路,其特征在于,包括:第一晶体管,所述第一晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结;第一导线,所述第一导线耦合在所述第一电流电极与第一电源电压之间;以及第二导线,所述第二导线耦合到所述第二电流电极,其中所述第二导线的电阻比所述第一导线的电阻至少大5%,其中所述主体联结耦合到第二电源电压,并且所述第一电源电压不同于所述第二电源电压。2.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,由于所述第二导线的宽度小于所述第一导线的宽度,因此所述第二导线的所述电阻比所述第一导线的所述电阻至少大5%。3.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,由于耦合到所述第二导线的传导通孔的数目小于耦合到所述第一导线的传导通孔的数目,因此所述第二导线的所述电阻比所述第一导线的所述电阻至少大5%。4.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述第一晶体管为N沟道金属氧化物半导体,所述第一电流电极为漏极电极,所述第二电流电极为源极电极,并且所述第一电源电压的幅值大于所述第二电源电压的幅值。5.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述第一晶体管为P沟道金属氧化物半导体,所述第一电流电极为源极电极,所述第二电流电极为漏极电极,并且所述第一电源电压的幅值大于所述第二电源电压的幅值。6.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,另外包括:第二晶体管,所述第二晶体管包括第一电流电极和第二电流电极;以及第三导线,所述第三导线耦合在所述第二晶体管的所述第一电流电极与所述第一电源电压之间,其中所述第一导线另外耦合到所述第二晶体管的所述第二电流电极。7.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述第一导线和所述第二导线形成于所述集成电路的强力金属层中。8.根据权利要求7所述的集成电路,其特征在于,所述第一导线和所述第二导线具有相同厚度。9.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,另外包括:衬底;形成于所述衬底上的有源电子装置结构;以及耦合到所述有源电子装置结构的一个或多个互连层,其中所述第一导线和所述第二导线形成于所述一个或多个互连层上方。10.根据权利要求1所述的集成电路,其特征在于,耦合到所述主体联结的导线的宽度小于所述第一导线的宽度和所述第二导线的宽度。11.一种方法,其特征在于,包括:在集成电路的有源装置层中形成晶体管,其中所述晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和主体联结;在所述集成电路的互连层中形成互连结构;在所述集...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿尼斯·M·杰拉尔,杰夫·沃纳,大卫·提普,
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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