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本发明公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS...
该专利属于中国人民解放军国防科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科学技术大学授权不得商用。

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