制造半导体存储装置的方法及用该方法制造的半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种制造半导体存储装置的方法及用该方法制造的半导体存储装置，该方法包括制造单元阵列以减小在位线与栅极图案之间产生的寄生电容。该方法可以包括通过存储节点插塞触点掩模和位线插塞掩模来确定插塞区域。该方法还可以包括：形成单元晶体管的栅极图案，并且在包括该栅极图案的结构上沉积绝缘层；以及在绝缘层上形成硬掩模层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造高集成度半导体存储装置的方法，更具体 地说，涉及一种形成半导体存储装置的单元阵列中所包括的多个单位 单元及位线的方法。
技术介绍
一般来说，在根据导电率对材料分类的情况下，半导体为这样 一种材料其属于介于导体与非导体之间的材料种类。虽然半导体类 似于处于无掺杂状态的非导体，但通过添加杂质或其它操作可增加半 导体的导电率。在半导体中添加杂质，然后将半导体连接至导体从而用于制造诸如晶体管等半导体器件。半导体装置指一种由半导体器件 形成的具有各种功能的装置。半导体存储装置为半导体装置的典型实例。一种半导体存储装置包括多个单位单元，每个单位单元包括电容器和晶体管。双联电容器(double capacitor)已经用于暂时地存储 数据。晶体管已经用来根据控制信号(字线)利用半导体的随环境改 变的导电率而在位线与电容器之间传输数据。该晶体管具有包括栅 极、源极和漏极在内的三个区域，其中源极与漏极之间的电荷响应于 输入到栅极中的控制信号而移动。源极与漏极之间的电荷根据半导体 的性质和操作而移动通过沟道区域。当在半导体基板中形成晶体管时，在半导体基板中形成栅极， 并且在栅极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体存储装置的方法，包括：　通过存储节点插塞触点掩模和位线插塞掩模来确定插塞区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李相敦，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]