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本发明公开一种制造半导体存储装置的方法及用该方法制造的半导体存储装置，该方法包括制造单元阵列以减小在位线与栅极图案之间产生的寄生电容。该方法可以包括通过存储节点插塞触点掩模和位线插塞掩模来确定插塞区域。该方法还可以包括：形成单元晶体管的栅极...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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