【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种集成电路的结构及其制造方法，且特别是有关于一种内 连线的结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的持续进步，元件线宽得以持续縮小。而线宽的縮小则 有助于高速、多功能、高元件集成度、低功率消耗及低成本的极大规模集成电路芯 片得以大量生产制造。由于半导体元件的微型化及集成度的增加，使得有限的芯片表面无法容纳日 益增加的内连线(interconnection)。为了解决此项问题，多重金属内连线结构 便被提出，而成为集成电路制造技术不得不采用的方式。 一般集成电路所使用的多 重金属内连线结构由金属导线与介层窗或接触窗构成。内连线结构配置在多层介电 层之中，由形成在介层窗开口或接触窗开口中的钨插塞连接各层平面的金属导线或 半导体元件。以一个介层窗钨插塞为例，图1A至图1B为绘示传统的一种金属内连线结构 的剖面图。参照图1A，基底100上已形成有金属导线120以及覆盖金属导线120 的介电层140。之后，通过图案化方法在介电层140中形成开口，并在开口内形成 钨插塞150。接着，于介电层140上沉积阻障材料层与金属材料层，并于金属材料 层上形成...
【技术保护点】
一种内连线的制造方法，包括： 提供一基底； 于该基底上形成具有一开口的一第一介电层； 于该开口中形成一导体层，该导体层的顶面高度低于该第一介电层的顶面高度； 于该第一介电层及该导体层上形成一第一阻挡层； 在该第一阻挡层上形成一金属层；以及 图案化该金属层与该第一阻挡层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李秋德，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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