双镶嵌结构及其制作方法技术

一种双镶嵌结构的制作方法，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上形成介电层；在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层；刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层，形成接触孔；在接触孔内形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，使接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；刻蚀层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀覆盖层和介电层至露出金属布线层，形成双镶嵌结构。本发明专利技术还提供一种双镶嵌结构。本发明专利技术提高了金属布线层的电性能及半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体器件制作技术的飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结 构。由于集成电路中所含器件的数量不断增加，器件的尺寸也因集成度的提 升而不断地缩小，器件之间的高性能、高密度连接不仅在单个互连层中进行， 而且要在多层之间进行互连。因此，通常提供多层互连结构，其中多个互连 层互相堆叠，并且层间绝缘膜置于其间，用于连接半导体器件。特别是利用双镶嵌(dual-damascene)工艺形成的多层互连结构，其预先在层间绝缘膜中 形成沟槽(trench)和接触孔(via),然后用导电材料填充所述沟槽和接触孔。 例如申请号为02106882.8的中国专利申请文件提供的双镶嵌结构制作工艺，因 为双镶嵌结构能避免重叠误差以及解决习知金属工艺的限制，双镶嵌工艺便 被广泛地应用在半导体制作过程中而提升器件可靠度。因此，双镶嵌工艺已 成为现今金属导线连结技术的主流。现有制作双镶嵌结构的方法参考图1至图4。如图l所示，提供半导体衬底 100,在半导体衬底100上形成有金属布线层102;在金属布线层102上形成厚 度为600埃 800埃的覆盖层104;在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：　提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上形成介电层；　在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层；　刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层，形成接触孔；　在接触孔内形成底部抗 反射层；　刻蚀底部抗反射层，使接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；　刻蚀层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；　去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀覆盖层和介电层至露出金属布 线层，形成双镶嵌结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，尹晓明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]