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一种双镶嵌结构的制作方法,包括:提供带有金属布线层的半导体衬底,在金属布线层上形成介电层;在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层;刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层,形成接触孔;在接触孔内形成底部抗反射层;刻蚀底部抗反射层,使接触孔内的底部抗反射层的...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种双镶嵌结构的制作方法,包括:提供带有金属布线层的半导体衬底,在金属布线层上形成介电层;在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层;刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层,形成接触孔;在接触孔内形成底部抗反射层;刻蚀底部抗反射层,使接触孔内的底部抗反射层的...