用于处理基底的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种方法，所述方法能够在通过供应光刻胶进行涂敷处理之前，使晶片的温度保持在处理温度上。根据本发明专利技术，在供应所述光刻胶之前，将有助于所述光刻胶扩散的稀释剂供应到所述晶片上。在温度控制状态下供应所述稀释剂，使得所述晶片通过所述稀释剂具有处理温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[1]本专利技术涉及，更具体地说，涉及通过向基底 供应化学物质来处理诸如半导体基底等基底的装置和方法。
技术介绍
[2]对于半导体设备的制造，晶片要经受各种处理。在这些处理中，光刻处 理用于在晶片上形成图案，并且所述光刻处理包括在晶片上涂敷诸如光刻胶 等感光溶液的涂敷处理，用光线照射已涂敷光刻胶从而形成待形成图案的临 时图像的摄影处理，以及将临时图像显影成图案的显影处理。在涂敷处理中， 以均匀厚度和设定厚度涂敷光刻胶是非常重要的，并且晶片的温度对其上涂 敷的光刻胶的厚度的均匀性有很大的影响。[3]在进行涂敷处理之前，晶片通常在烘烤模件中加热或冷却，然后通过自 动机械传送到执行涂敷处理的模件进行处理。晶片的温度受到与自动机械的 接触的影响。因此，为了将晶片保持在处理温度上，在自动机械中设置有控 制晶片温度的温度控制部件。[4]通常，在基底处理装置中，两个或更多烘烤模件设置于上下方向或左右 方向上。晶片与传送自动机械的接触时间根据其中进行各种处理的烘烤模件 的位置变化。因此，不容易均衡且精确地控制晶片的温度。同样，由于只有 晶片的选定区域与自动机械接触，因此晶片的温度随其所述区域的不同而不 同。[5]上述缺点使光刻胶在涂敷处理中以较低的均匀性涂敷于多个晶片之间 或者单个晶片的多个区域之间。
技术实现思路
[6]本专利技术提供一种，在对基底进行某个处 理之前，所述装置和方法使基底的温度均匀地保持在处理温度。[7]同样，本专利技术提供，所述装置和方法能够提高多个晶片之间或者在单个晶片的多个区域之间的已涂敷光刻胶的 厚度的均匀性。[8]本专利技术提供一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上进 行一个处理来处理所述基底。所述装置包括支撑部件，其上安装有所 述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑 部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上， 在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度 控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括流体供应管， 所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部 件。[9]在本专利技术的一个例子中，所述处理是将感光溶液涂敷在所述基底上的 处理，所述化学溶液是所述感光溶液，所述流体是使得所述感光溶液在 所述基底上易于扩散的处理溶液，所述流体供应部件包括将所述处理溶 液供应到所述基底上的处理溶液供应部件，并且所述流体供应管包括处 理溶液供应管，所述处理溶液通过所述处理溶液供应管供应。[10]所述支撑部件包括支撑板，其上安装有所述基底；和与所述支撑 板接合并通过驱动器旋转的旋转轴。可选择地，所述装置还可以设置有 控制器，所述控制器控制是否使所述旋转轴旋转，并控制是否打开或关 闭安装于所述处理溶液供应管上的阀门，或者控制所述阀门打幵或关闭 的程度。[11]在一个例子中，控制所述处理溶液温度的温度控制部件包括恒温 流体供应管，其设置成围绕所述处理溶液供应管的至少一部分，恒温流 体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控 制器。[12]在一个例子中，感光溶液供应部件包括感光溶液供应管，所述感 光溶液通过所述感光溶液供应管供应；和温度控制部件，其控制所述感 光溶液的温度，从而使所述感光溶液保持在预设的处理温度上。控制所 述感光溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置成 围绕所述感光溶液供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。[13]在一个例子中，所述感光溶液可以是光刻胶，所述处理溶液可以是 稀释剂。[14]在本专利技术的另一个实施例中，所述处理是显影处理，所述化学溶液 是显影溶液，所述流体是去离子水。[15]控制所述流体的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置 成围绕所述流体供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应 管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。[16]同样，所述装置还可以包括清洗所述基底的后表面的清洗溶液供应 部件。所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供应到所述基底的 后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制部 件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。[17]在一个例子中，控制所述清洗溶液温度的所述温度控制部件包括 恒温流体供应管，其设置成围绕所述清洗溶液供应管的至少一部分，恒 温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温 度控制器。[18]另外，本专利技术提供一种用于使用化学溶液处理基底的方法。[19]根据上述方法，将温度控制流体供应到所述基底上，从而使用所述 温度受到控制的流体将所述基底保持在预设的处理温度上。然后将所述 化学溶液供应到所述基底上，以进行处理。[20]在一个实施例中，所述处理是涂敷处理，所述流体是稀释剂，所述 化学溶液是光刻胶。所述温度受到控制的流体的温度控制是通过恒温流 体在邻近供应管的区域流动实现的，所述恒温流体的温度受到控制且所 述恒温流体循环流动，所述温度控制流体通过所述供应管供应。在供应 所述温度受到控制的流体的同时旋转所述基底。[21]在另一个实施例中，所述处理是显影处理，所述温度受到控制的流 体是去离子水，所述化学溶液是显影溶液。[22]另外，本专利技术提供一种用于处理基底的方法。所述方法包括将所述基底装载在支撑板上；将处理溶液供应到所述基底上，所述处理溶液 使得感光溶液在所述基底上易于扩散；将所述感光溶液供应到所述基底 上；以及从所述支撑板上卸载所述基底，其中所述处理溶液向所述基底 的供应包括将其温度受到控制的所述处理溶液供应到所述基底上，使 得所述基底保持在由所述处理溶液预设的处理温度上。[23]其温度受到控制的所述处理溶液向所述基底的供应可以包括在将 所述处理溶液供应到所述基底上的同时旋转所述基底。同样，其温度受 到控制的所述处理溶液向所述基底的供应可以包括在将所述处理溶液 供应到所述基底上的同时旋转所述基底以后，将所述处理溶液供应到所 述基底上的同时停止所述基底。[24]在一个例子中，温度受到控制的流体的温度控制是通过使恒温流体 在邻近供应管的区域流动实现，所述恒温流体的温度受到控制并且所述 恒温流体循环流动，所述温度受到控制的流体通过所述供应管供应。[25]在将所述化学溶液供应到所述基底上以后，上述方法还可以包括 将清洗溶液供应到所述基底的后表面上，从而清洗所述基底的后表面。 所述清洗溶液是温度受到控制的并被供应到所述基底上，使得所述基底 通过所述清洗溶液保持在预设的处理温度上。对供应到所述基底的后表 面上的所述清洗溶液的温度控制通过使恒温流体沿清洗溶液供应管的外 围流动实现，所述恒温流体的温度受到控制并且所述恒温流体循环流动， 所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管供应。[26]在将所述感光溶液供应到所述基底上以后，上述方法还可以包括 将去除溶液供应到所述基底的倾斜部上，从而去除粘附于所述基底的倾 斜部上的所述感光溶液。在向所述基底的后表面供应所述清洗溶液以清 洗所述基底的后表面的同时，去除粘附于所述基底的倾斜部上的所述感 光溶液。[27]同样，本专利技术提供一种用于在基底上涂敷感光溶液的方法。所述方法包括将所述基底装载在支撑板上；将处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上以进行处理来处理所述基底，所述装置包括：支撑部件，其上安装有所述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流 体供应到所述基底上，在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括：流体供应管，所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-9-26 10-2005-00891811.一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上以进行处理来处理所述基底，所述装置包括支撑部件，其上安装有所述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上，在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括流体供应管，所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部件。2. 根据权利要求l所述的装置，其中所述处理是将感光溶液涂敷在 所述基底上的处理，所述化学溶液是所述感光溶液，所述流体是允许所 述感光溶液在所述基底上易于扩散的处理溶液，所述流体供应部件包括 将所述处理溶液供应到所述基底上的处理溶液供应部件，并且所述流体 供应管包括处理溶液供应管，所述处理溶液通过所述处理溶液供应管供 应。3. 根据权利要求2所述的装置，其中控制所述处理溶液温度的温度 控制部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述处理溶液供应管的 至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒 温流体温度的温度控制器。4. 根据权利要求2所述的装置，其中所述支撑部件包括支撑板，其上安装有所述基底；和与所述支撑板接合并通过驱动器旋转的旋转轴，并且所述装置还包 括控制器，所述控制器控制所述旋转轴是否旋转，并控制是否打开或关 闭安装于所述处理溶液供应管上的阀门，或者控制所述阀门打开或关闭 的程度。5. 根据权利要求2所述的装置，其中感光溶液供应部件包括感光 溶液供应管，所述感光溶液通过所述感光溶液供应管供应；和温度控制 部件，其控制所述感光溶液的温度，从而使所述感光溶液保持在预设的 处理温度上，其中，控制所述感光溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体 供应管，其设置成围绕所述感光溶液供应管的至少一部分，恒温流体通 过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。6. 根据权利要求2所述的装置，其中所述感光溶液是光刻胶，所述 处理溶液是稀释剂。7. 根据权利要求l所述的装置，其中所述处理是显影处理，所述化 学溶液是显影溶液，所述流体是去离子水。8. 根据权利要求7所述的装置，其中控制所述流体的所述温度控制 部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述流体供应管的至少一部 分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温 度的温度控制器。9. 根据权利要求2所述的装置，还包括清洗所述基底的后表面的清 洗溶液供应部件，其中所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供 应到所述基底后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制部件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。10. 根据权利要求9所述的装置，其中控制所述清洗溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述清洗溶液供 应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制 所述恒温流体温度的温度控制器。11. 根据权利要求2所述的装置，还包括去除溶液供应部件，其将去除溶液供应到所述基底的倾斜部上，从而在完成所述感光溶液的涂 敷后去除粘附于所述基底的倾斜部上的所述感光溶液；和清洗所述基底 的后表面的清洗溶液供应部件，其中所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供应到所述基底 的后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制 部件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔从洙，崔永权，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]