【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2008年10月31日、专利技术名称为“化学品液供应装置及使用该装置的”的第200810172305. 5号专利申请的分案申请。相关申请的交叉参考本专利申请要求于2007年12月12日提交的韩国申请No. 10-2007-0138664的优先权，在此将该韩国申请的全部内容作为本申请的参考而弓I入。
技术介绍
这里公开的本专利技术涉及，更具体的说，涉及把光致抗蚀剂液供应到基底上的化学品液供应装置、具有这种供应装置的基底处理装置以及使用这种供应装置的基底处理方法。 半导体器件是通过重复执行把薄膜顺序堆叠在硅晶片上的工序以形成预定电路图形而制成的。为了形成和堆叠这些薄膜，必须重复执行多道单独的工序，例如沉积工序、光刻工序和蚀刻工序。光刻工序是一种用来在晶片上形成各种电路图形的工序。这种光刻工序包括涂敷工序、曝光工序和显影工序。在涂敷工序中，把对光线敏感的材料即光致抗蚀剂液均匀地涂敷在晶片的表面上。在曝光工序中，使用分档器让光线通过掩模上的电路图形，以使具有光致抗蚀剂液的晶片曝光。上述显影工序通过使用显影剂而有选择地在晶片表面的光致抗蚀剂膜上接受到光线的那一部分...
【技术保护点】
一种基底处理装置，其包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；以及等待口，安装在上述喷嘴臂中的上述多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分；其特征在于，上述等待口包括：具有敞开顶部的壳体，该壳体为容纳上述多个喷嘴提供空间；以及有机溶剂供应构件，与容纳在上述壳体中的上述多个光致抗蚀剂液喷嘴一一对应，该有机溶剂供应构件把有机溶剂供应到从上述相应的光致抗蚀剂液喷嘴选出来的光致抗蚀剂液喷嘴的前端。
【技术特征摘要】
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