【技术实现步骤摘要】
本专利技术的总体构思涉及一种处理基底的设备，更具体地讲，涉及一种利用铁氧体磁芯处理基底以提高等离子体产生效率的设备。
技术介绍
通过执行薄膜的反复沉积和蚀刻工艺来制造用于半导体晶圆或显示设备的基底(以下，称作基底)。图1是示出利用铁氧体磁芯处理基底的设备的剖视图，图2是示出图1的设备的平面图。参照图1和图2，处理基底的传统设备包括彼此结合的上容器111和下容器112。由两个容器111和112形成的空间被分隔件121和122划分成上反应空间113和下反应空间114。气体被带到反应空间113和114中并被电离，从而产生等离子体。上卡盘(chuck)131设置在上反应空间113中，下卡盘132设置在下反应空间114中。通常，将被处理的基底仅放置在下卡盘132上。六个环形的铁氧体磁芯141以规则的间隔成圆形设置在两个反应空间113和114中间的同一平面上。线圈142缠绕在各铁氧体磁芯141的周围。线圈142以相反的方向缠绕在相邻的铁氧体磁芯141的周围，从而使得由相邻的铁氧体磁芯141产生的感应电动势的相位相反。两个反应空间113和114通过通孔152互相连接，通孔1...
【技术保护点】
一种处理基底的设备，包括： 处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体； 铁氧体磁芯，包括多个设置在所述反应空间外部的柱和连接器，以跨过所述多个柱面向所述反应空间并使所述多个柱相互连接； 线圈，缠绕在所述多个柱的周围； 电源单元，向所述线圈提供电源。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：全尚珍，朴钟录，史升烨，梁姬全，李根硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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