沉积装置制造方法及图纸

一种沉积装置，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。所述沉积装置能够避免因此送气管道内的气体瞬间流速过快而产生歪倒，或避免所述送气管道因碰撞所述内炉管侧壁或晶舟而产生碎屑，从而使所形成的薄膜质量好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种沉积装置。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical vapor deposition,简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体薄膜材料的工艺技术，其工艺通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，化学气相沉积装置通过进气装置将反应气体通入腔室中，并控制腔室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。现有技术中，直立式沉积炉管为一种常用的化学气相沉积装置，如图I所示，包括腔室100，所述腔室100包括外炉管101、以及位于所述外炉管101内的内炉管102，所述内炉管102的顶部为开口，且所述内炉管102的顶部不与所述外炉管101的顶部接触；设置于所述内炉管102底部的基座103，所述基座103能够绕其中心轴线旋转；固定于所述基座103表面重叠的晶舟104，所述晶舟104用于装载晶圆(未示出)，且晶舟104能够由所述基座103带动旋转；自所述腔室100外伸入内炉管102内部，且由所述内炉管102底部垂直向顶部延伸的送气管道105，所述送气管道105靠近内炉管102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积装置，其特征在于，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王硕，许忠义，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：