本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及包括将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。
技术介绍
在半导体制造中，下一代化学气相沉积(CVD)膜可能将需要在膜沉积工艺后进行处理工艺，以便获得所需的膜特性。另外，处理工艺可能需要在膜沉积工艺后不久就执行，以便避免原生性氧化物形成。用于半导体处理系统的现有架构并不是为迅速的顺序的沉积和处理工艺而设计的。此外，常规处理系统较大，并且占据清洁室环境中大量宝贵的地板空间。因此，增加常规半导体处理系统的尺寸以适应更迅速地将基板从沉积腔室传送至处理腔室不是可接受的解决方案。因此，需要适于顺序的沉积和处理的改进的半导体处理系统。
技术实现思路
本文公开了处理系统，所述处理系统包括沉积腔室、处理腔室以及至少一个隔离区域。所述沉积腔室被配置成将膜沉积在基板上。所述处理腔室被布置成从所述沉积腔室接收所述基板。所述处理腔室传送所述基板远离所述沉积腔室。所述处理腔室包括膜特性更改装置。所述膜特性更改装置可操作以处理设置在所述处理腔室中的所述基板。所述膜特性更改装置更改在所述沉积腔室中所沉积的膜的特性。所述隔离区域被配置成将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。在另一实施例中，本文描述了用于在处理系统中对基板进行处理的方法。所述方法包括将所述基板传送至第一沉积腔室中。当所述基板在所述第一沉积腔室中时，将膜沉积在所述基板上。传送所述基板穿过将所述沉积腔室与所述第一处理腔室分开的第一隔离区域。在所述第一处理腔室中，更改所沉积的膜的特性。在另一实施例中，本文描述了处理系统，所述处理系统包括沉积腔室、处理腔室、至少一个隔离区域以及传送机构。所述沉积腔室被配置成将膜沉积在基板上。所述沉积腔室包括基板支撑件。所述基板支撑件被配置成在所述沉积腔室的内部容积中支撑所述基板。所述处理腔室与所述沉积腔室直列。所述处理腔室包括基板支撑件和膜特性更改装置。所述基板支撑件被配置成在所述处理腔室的内部容积中支撑所述基板以进行处理。所述膜特性更改装置可操作以处理设置在所述处理腔室中的所述基板。所述膜特性更改装置更改在所述沉积腔室中沉积在所述基板上的膜的特性。所述膜特性更改装置被设置在所述处理腔室的所述内部容积中。所述膜特性更改装置基本上平行于所述内部容积中的所述基板支撑件的顶表面，并且在所述内部容积中的所述基板支撑件的顶表面上方。所述至少一个隔离区域被配置成将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述传送机构被配置成从所述沉积腔室传送所述基板穿过所述隔离区域并进入所述处理腔室。所述沉积腔室、所述处理腔室、所述隔离区域以及所述传送机构都驻留在真空密封处理系统中。【附图说明】所附附图(这些附图并入本说明书并构成说明书的一部分)示意性地示出本专利技术，并且所附附图与以上给出的一般描述以及以下给出的具体实施例一起用于解释本专利技术的原理。图1示意性地示出直列(inline)处理系统的布局；图2示出隔离区域的一个实施例，其中该隔离区域是气幕(gas curtain);图3示出隔离区域的另一个实施例，其中该隔离区域是狭缝阀；图4A不出处理系统中沉积腔室的横截面图；图4B示出处理系统中处理腔室的横截面图；图5示出处理系统的腔室内设置的载体的俯视图；图6A-6E示出载体将基板传送至处理系统的腔室内的基板支撑件的工艺；图7不出直列处理系统的布局；图8示出竖直处理系统的布局；图9A-9C示出用于跑道形(racetrack)处理系统的序列；图10示出传送带式(carousel)处理系统的布局；图1lA示出半导体串列式(tandem)处理系统的俯视图；以及图1lB示出半导体串列式处理系统中的四联(quad)处理站的放大视图。为了清楚起见，在适用的地方已使用了完全相同的参考标号来指定各图之间所共有的完全相同的元件。【具体实施方式】图1示意性地示出适于在处理系统100内的基板上顺序地沉积并处理膜的顺序处理系统100。处理系统100包括工艺站122、隔离区域104以及负载锁定站108。工艺站122、隔离区域104和负载锁定站108经连接以形成连续的真空密封平台110。栗系统120被耦接至负载锁定站108、工艺站122和隔离区域104。栗系统120控制处理系统100内的压力。栗系统120可用于根据需要来对负载锁定站108降压抽真空(pump down)和破真空(vent)，以有利于基板进入真空密封平台110以及从真空密封平台110中移除基板。工艺站122包括至少一个沉积区域102以及至少一个处理区域106。一个或多个处理区域106中的至少一个处理区域顺序地位于诸个沉积区域102中的至少一个沉积区域的下游(即，相对于穿过处理系统100的工艺流程的方向)。例如，处理区域106可顺序地位于若干沉积区域102中的最后一个沉积区域(在图1示为Di)的下游。隔离区域104用于防止或至少基本上最小化区域102、106之间气体的流动。处理系统100通过通信线缆128被耦接至控制器112。控制器112可操作地用于控制在处理系统100内对基板(未示出)的处理。控制器112包括:可编程中央处理单(CPU) 116，所述CPU 116可与存储器114和大容量存储装置一起操作；输入控制单元；以及显示单元(未示出)；诸如，耦接至处理系统100的各种组件以有利于对处理基板工艺的控制的电源、时钟、高速缓存、输入/输出(I/O)电路等。控制器112还可包括硬件，所述硬件用于通过处理系统100中的传感器(未示出)来监测基板的处理。为了有利于对处理系统100和处理基板的控制，CPU 116可以是用于控制基板工艺的通用计算机处理器中的任何形式。存储器114被耦接至CPU116，并且存储器114是非暂态的，并且存储器114可以是容易获得的存储器中的一种或多种，诸如，随机存取存储器(RAM)、只读存储器(R0M)、软盘驱动器、硬盘、或任何其他形式的数字存储装置(无论是本地的还是远程的)。支持电路118被耦接至CPU 116，以便以常规方式来支持CPU116。用于处理基板的工艺一般存储在存储器114中。用于处理基板的进程还可由第二 CPU(未示出)存储和/或执行，所述第二 CPU位于受CPU 116控制的硬件的远程。存储器114是计算机可读存储介质形式的，所述计算机可读存储介质包含指令，所述指令在由CPU 116执行时，有利于在处理系统100中处理基板的操作。存储器114中的指令是程序产品形式的，诸如，实现处理基板的操作的程序。程序代码可符合许多不同编程语言中的任何一种。在一个实例中，本公开可实现为存储在与计算机系统一起使用的计算机可读存储介质中的程序产品。该程序产品的程序定义实施例的功能。说明性的计算机可读存储介质包括但不限于:(i)信息永久地存储在其上的非可写入的存储介质(例如，计算机内的只读存储器设备，诸如，可由CD-ROM驱动器读取的CD-ROM盘、闪存存储器、ROM芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)；以及(ii)其上存储可改变信息的写入存储介质(例如，在软盘驱动器或硬盘驱动器内的软盘或任何类型的固态随机存取半导体存储器)。此类计算机可读存储介质(当携带引导本文所述的方法的功能的计算机可读指令时)是本公开的实施例。提供运动机构(在图1中未示出)，以便穿过由隔离区域104分开的每一个相应本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种处理系统，所述处理系统包括：沉积腔室，其中，所述沉积腔室被配置成将膜沉积在基板上；处理腔室，其中，所述处理腔室被布置成从所述沉积腔室接收所述基板，并且传送所述基板远离所述沉积腔室，所述处理腔室进一步包括：膜特性更改装置，所述膜特性更改装置可操作以处理设置在所述处理腔室中的所述基板，从而更改在所述沉积腔室中所沉积的膜的特性；以及至少一个隔离区域，其中，所述至少一个隔离区域被配置成将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K·杰纳基拉曼，A·B·马利克，H·K·波内坎蒂，M·斯里拉姆，A·T·迪莫斯，M·斯里尼瓦桑，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，D·R·杜波依斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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