本实用新型专利技术提供一种用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置。包括：腔体、管体；在所述腔体一侧的侧壁上设置有所述管体，所述管体与所述腔体连通，用于将MOCVD设备反应腔底部的废弃物吸除。本实用新型专利技术实施例实现了在不拆开反应腔体的基础上就可以将堆积于腔体内的沉积物清除干净，避免了反应室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应室内部的洁净度，提高了在腔体维护过后机器性能的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置。包括：腔体、管体；在所述腔体一侧的侧壁上设置有所述管体，所述管体与所述腔体连通，用于将MOCVD设备反应腔底部的废弃物吸除。本技术实施例实现了在不拆开反应腔体的基础上就可以将堆积于腔体内的沉积物清除干净，避免了反应室内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应室内部的洁净度，提高了在腔体维护过后机器性能的稳定性。【专利说明】用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置
本技术涉及半导体领域技术，尤其涉及一种用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置。
技术介绍
金属有机化学气相沉积MOCVD (metal-organic chemical vapor deposit1n)设备，主要是用在半导体技术中生产发光二极管的设备。在进行化学反应时反应室内部会有反应沉积物的堆积，但在清理反应室中的残留反应物的现存方法是将反应室拆开，并利用吸尘器将沉积物抽取干净。但与此同时，大量的水汽、氧气等吸附在腔体表面，在维护过后很难将这些吸附的水氧去除。反应室内壁材料吸附的水氧等如果不能有效的去除，在生长过程中水氧分子就会慢慢的释放，反应室内部环境的恢复会持续很长的时间，同时会造成晶体质量差、芯片电压高、亮度低等一系列问题。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本技术实施例提供一种用于清理金属有机化学气相沉积MOCVD设备沉积物的清理装置，包括: 用于设置在MOCVD设备的反应腔内的所述吸尘主体，所述吸尘主体包括一用于容纳沉积物的中空腔体，以及设置在所述腔体上的、用于驱动所述腔体在所述MOCVD设备的反应腔内进行旋转的驱动装置； 所述腔体的侧壁上还设置有一用于将所述MOCVD设备的反应腔底部的沉积物吸入到所述腔体内的管体。 进一步的，在所述吸尘主体的上壁上设置有至少一个的、用于去除所述MOCVD设备气流盖上的反应附着物的除尘毛刷。 所述腔体为圆柱体。 所述管体为软管。 本技术实施例用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，实现了在不拆开反应腔体的基础上就可以将堆积于腔体内的沉积物清除干净，避免了反应腔体内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔体内部的洁净度，提高了在腔体维护过后机器性能的稳定性。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 图1为本技术用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置实施例的结构示意图，如图1所示，本实施例的装置包括吸尘主体11，该吸尘主体11可以包括:中空腔体101、驱动装置102、管体103，其中，腔体101用于容纳沉积物。在腔体101上，还设置有驱动装置102，该驱动装置102用于驱动腔体101在MOCVD设备的反应腔内进行旋转。在本实施例中，驱动装置102可以为旋转马达，但并仅限于此。在腔体101的侧壁上设置有管体103，管体103与腔体101连通，用于将MOCVD设备反应腔底部的沉积物吸入到腔体101中。 具体的，腔体101的形状可以根据实际需求进行设置，在此不加限制，在本实施例中腔体101的形状以圆柱体来举例说明。管体103可以为软管。该装置11的尺寸由具体的MOCVD设备的反应腔体大小决定。 进一步的，在吸尘主体11的上壁上设置有至少一个除尘毛刷104，以使除尘毛刷104与MOCVD设备气流盖充分接触，用于去除MOCVD设备气流盖上的反应附着物。除尘毛刷104的数量可以根据实际需求设置，在此不加以限制。 其中，具体的操作过程如下所述: 在实际操作过程中，将MOCVD设备沉积物的清理装置11在真空条件下利用机械手臂传送到MOCVD设备反应腔体中。 向MOCVD设备反应腔体内部通入氮气，保持反应腔体内部压强在760-800torr，同时保持氮气的流量为100升/分钟。 开启MOCVD设备沉积物的清理装置11的驱动装置102，驱动该清理装置11进行旋转，保持1-500转/分，在该装置11旋转的过程中利用该装置11上方的除尘毛刷104可以将MOCVD设备气流盖上的反应附着物刷下来。同时启动MOCVD设备沉积物的清理装置11的吸尘功能，将MOCVD设备反应腔底部的沉积物吸除。 为保证MOCVD设备反应腔体内的沉积物彻底清除，可以重复上述步骤，直至将反应室腔体内部沉积物清除完。 利用该装置可以将MOCVD设备反应腔底部的沉积物吸除，同时该装置上方的除尘毛刷在该装置旋转的过程中可以将MOCVD设备气流盖上的反应附着物刷下来。当该设备在MOCVD设备反应腔体内将沉积物抽取干净后再由机械手臂将该装置从MOCVD设备反应腔体内部传送出来，这样就可以将MOCVD设备反应腔体内部的沉积物清除干净。 本技术的有益效果是在不拆开反应腔体的基础上就可以将堆积于腔体内的沉积物清除干净，避免了反应腔体内部与大气接触吸附水汽、氧气等杂质。保持了反应腔体内部的洁净度，提高了在腔体维护过后机器性能的稳定性。此类型装置也可以应用到其它半导体行业的真空系统对其内部进行沉积物的清理。 最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。【权利要求】1.一种用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，其特征在于，包括: 用于设置在MOCVD设备的反应腔内的吸尘主体，所述吸尘主体包括一用于容纳沉积物的中空腔体，以及设置在所述腔体上的、用于驱动所述腔体在所述MOCVD设备的反应腔内进行旋转的驱动装置； 所述腔体的侧壁上还设置有一用于将所述MOCVD设备的反应腔底部的沉积物吸入到所述腔体内的管体。2.根据权利要求1所述的用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，其特征在于，在所述吸尘主体的上壁上设置有至少一个的、用于去除所述MOCVD设备气流盖上的反应附着物的除尘毛刷。3.根据权利要求1或2所述的用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，其特征在于，所述腔体为圆柱体。4.根据权利要求1或2所述的用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，其特征在于，所述管体为软管。【文档编号】C23C16/44GK204039496SQ20142036331本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于清理MOCVD设备沉积物的清理装置，其特征在于，包括： 用于设置在MOCVD设备的反应腔内的吸尘主体，所述吸尘主体包括一用于容纳沉积物的中空腔体，以及设置在所述腔体上的、用于驱动所述腔体在所述MOCVD设备的反应腔内进行旋转的驱动装置； 所述腔体的侧壁上还设置有一用于将所述MOCVD设备的反应腔底部的沉积物吸入到所述腔体内的管体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：焦建军，
申请(专利权)人：圆融光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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