基底处理装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基底处理装置以及一种制造基底处理装置的方法。加工设备的加工单元得到模块化，并且得到模块化的加工单元可拆除地被布置在主框架中。根据这一特征，可以减少制造加工设备所需的作业时间和工作量。另外，还可以很容易地完成每一个加工单元的保养／维修。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地涉及一种模块组 件类型的。肖景默在半导体器件的制造过程中，多种材料以薄膜形式沉积在晶片上，随后 施加图案以形成半导体器件。为此，需要进行多种不同的处理，例如沉积 处理、蚀刻处理、清洗处理以及干燥处理。在每一个过程中，晶片在具有 相应过程的最佳条件的过程腔之中/之内得到装载/处理。最近，随着半导体器件向小型化和高集成度化发展，需要高精度和复杂 的处理和大直径晶片。因而，随着单晶片加工或组合加工的增加以及相伴 随的产量增加，目前对采用多腔方法的半导体制造装置进行广泛关注。多腔方法的半导体制造装置包括加工设备以及在加工设备之内和之外对晶片进行传送的设备前端模块(EFEM)。加工设备包括装载单元/卸载 单元、索引机器人、缓冲单元、加工腔和基底传送机器人。
技术实现思路
本专利技术提供一种，所述基底处理装置使每一 个组件模块化，以便于组装/拆卸和保养/维修加工设备。本专利技术并不局限于此;本领域技术人员通过参照以下描述将会清楚地了 解到本专利技术的其他目的。本专利技术的实施方式提供一种基底处理装置，其包括加工设备，在其中 完成基底处理过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块，设备前 端模块将基底装载在加工设备内/从加工设备中卸载基底，其中，加工设备 包括主框架；以及可拆除地被布置在主框架中的多个加工单元，以模块形式设置所述多个加工单元，根据基底处理过程的功能相互作用的部件布 置在一个独立壳体内。在一些实施方式中，加工单元可以包括垂直于设备前端模块布置的 基底传送单元，该基底传送单元传送基底；以及平行布置在基底传送单元 两侧处的多个基底处理单元，所述多个基底处理单元对基底进行处理。在其他实施方式中，加工单元还包括布置在基底传送单元与设备前端 模块之间的缓冲单元，其提供对装载到加工设备内/从加工设备中卸载的基 底进行暂时保存的空间。在其他实施方式中，每一个基底处理单元可以包括壳体；上、下腔 室，在其中完成基底处理过程，上、下腔室垂直布置在壳体内；以及处理 流体供给元件，其将用于处理基底的处理流体供给到上、下腔室并将用于 处理基底的处理流体从上、下腔室中排出，处理流体供给元件布置在壳体 内下腔室之下。在其他实施方式中，加工单元还可以包括将处理流体分配到每一个基 底处理单元的处理流体供给元件内的处理流体分配单元，该处理流体分配 单元垂直于基底传送单元的端部布置。在其他实施方式中，基底传送单元可以具有双重结构，使得基底传送 单元与基底处理单元的上腔室和下腔室相对应。在其他实施方式中，主框架可以是由线性结构材料构成的空间形式。在本专利技术的其他实施方式中，基底处理装置包括加工设备，在其中 完成单晶片型基底清洗过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块， 该设备前端模块将基底装载到加工设备内/从加工设备中卸载基底，其中加 工设备包括具有由线性结构材料构成的空间形式的主框架；可拆除地被 布置在主框架上的多个加工单元，以模块形式设置所述多个加工单元，根 据基底清洗过程的功能相互作用的部件布置在一个独立壳体内。在一些实施方式中，加工单元可以包括垂直于设备前端模块布置的 基底传送单元，该基底传送单元传送基底；以及平行布置在基底传送单元 两侧处的多个清洗单元，所述多个清洗单元对基底进行清洗。在其他实施方式中，加工单元还可以包括布置在基底传送单元与设备 前端模块之间的缓冲单元，其提供对装载到加工设备内/从加工设备中卸载 的基底进行暂时保存的空间。在其他实施方式中，每一个清洗单元可以包括壳体；垂直布置在壳 体内的上、下清洗腔，上、下清洗腔采用单晶片加工方法清洗基底；以及 处理流体供给元件，其将处理溶液供给到上、下清洗腔并将用于清洗基底 的处理溶液从上、下清洗腔中排出，处理溶液供给元件布置在壳体内下清 洗腔之下。在其他实施方式中，处理流体供给元件可以包括使处理流体循环到 上、下清洗腔内的循环管路；以及布置在循环管路上的泵、过滤器和加热 器。在其他实施方式中，加工单元还可以包括将处理流体分配到每一个清 洗单元的处理流体供给元件内的处理流体分配单元，处理流体分配单元垂 直于基底传送单元的端部布置。在其他实施方式中，处理流体分配单元可以包括将化学溶液分配到 清洗单元以对基底进行化学处理加工的化学溶液分配单元；以及将冲洗溶 液分配到清洗单元以对基底进行冲洗加工的冲洗溶液分配单元。在其他实施方式中，基底传送单元可以具有双重结构，使得基底传送 单元与清洗单元的上清洗腔和下清洗腔相对应。在本专利技术的其他实施方式中，制造基底处理装置的方法包括根据完成 基底处理过程的加工设备的布局构造主框架；以及将以独立模块形式设置 的加工单元可拆除地安装在主框架中。在一些实施方式中，以模块形式设置加工单元，根据基底处理过程的 功能相互作用的部件布置在一个独立壳体内。附图说明所包含的附图提供对本专利技术进一步的理解，并包含和构成本说明书的一 部分。附图表示本专利技术的示例性实施方式，并与所述描述一起起到了解释 本专利技术的作用。图中图1是根据本专利技术的基底处理装置的正视图2是根据本专利技术的基底处理装置的俯视图3是表示图1和2所示的加工设备的构造的透视图4是表示图3所示的加工设备的组装过程的视图5是沿图2所示的线A-A'截取的横截面图；图6是表示处理流体分配单元的管路系统的视图；以及 图7是表示清洗单元的管路系统的视图。具体实施例方式下文将参照附图，对根据本专利技术优选实施方式的基底处理装置及其制造 方法进行更详细的描述。在任何可行情况下，应当注意，在理解附图的过 程中相同的附图标记表示同一元件。在以下描述中，省去了众所周知的功 能或构造，因为它们以非必要的细节使得本专利技术变得不太明显。 (实施方式)尽管基底清洗装置在本实施方式中进行示例性描述，但本专利技术并非局限 于此。本专利技术可以应用于完成除了清洗过程之外、完成不同基底处理过程 的多腔式半导体制造装置。图1是根据本专利技术的基底处理装置的正视图，并且图2是根据本专利技术的基 底处理装置的俯视图。参照图1和2，根据本专利技术，用于清洗基底的基底处理装置l包括加工设 备10和设备前端模块20。在加工设备10中，采用单晶片加工方法(single wafer processing method)来完成清洗过程。设备前端模块20被布置在加工 设备10的前侧。设备前端模块20在接纳基底的容器C与加工设备10之间传送 基底。设备前端模块20包括多个装载口22和框架24。多个装载口在一个方向上 成直线地布置。框架24布置在装载口22与加工设备10之间。接纳基底的容 器C穿过传送单元(未示出，例如架空传送器、架空输送器或自动导向车辆) 被布置在装载口22中的每一个上。可以釆用封闭式容器(例如前端开口片 盒，FOUP)作为容器C。框架机器人(未示出)和开门装置(未示出)布 置在框架24内。框架机器人在布置于装载口22中的每一个上的容器C与加工 设备10之间传送基底。开门装置自动打开和关闭容器C的门。风扇过滤单元 (未示出)可以布置在框架24中。风扇过滤单元向框架24内供给新鲜空气， 使得下降气流流过框架24。加工设备10包括主框架100和多个加工单元200、 300、 400和500。主框 架是这样一个结构，其根据加工设备10的布局而构成了加工设备10的构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基底处理装置，包括：　加工设备，在其中进行基底处理过程；以及　布置在加工设备前侧处的设备前端模块，所述设备前端模块将基底装载到加工设备内或从加工设备中卸载基底，　其中，加工设备包括：　主框架；以及　可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元，所述多个加工单元是成模块式地进行设置，以使得根据基底处理过程的功能而相互起作用的多个部件被布置在一个独立壳体内。

【技术特征摘要】
KR 2007-10-23 10-2007-01065481. 一种基底处理装置，包括加工设备，在其中进行基底处理过程；以及布置在加工设备前侧处的设备前端模块，所述设备前端模块将基底装载到加工设备内或从加工设备中卸载基底，其中，加工设备包括主框架；以及可拆除地被布置在主框架上的多个加工单元，所述多个加工单元是成模块式地进行设置，以使得根据基底处理过程的功能而相互起作用的多个部件被布置在一个独立壳体内。2. 如权利要求l所述的基底处理装置，其特征在于，加工单元包括 垂直于设备前端模块进行布置的基底传送单元，该基底传送单元对基底进行传送；以及平行地布置在基底传送单元两侧处的多个基底处理单元，所述多个基底 处理单元对基底进行处理。3. 如权利要求2所述的基底处理装置，其特征在于，加工单元还包括布 置在基底传送单元与设备前端模块之间的缓冲单元，其提供一个空间，以 供装载在加工设备内或从加工设备中卸载的基底进行暂时保存。4. 如权利要求2所述的基底处理装置，其特征在于，每个基底处理单元 包括壳体；上、下腔室，其中在所述上、下腔室中完成基底处理过程，并且上、下 腔室垂直布置在壳体内；以及处理流体供给元件，其将用于处理基底的处理流体供给到上、下腔室， 并将用于处理基底的处理流体从上、下腔室中排出，所述处理流体供给元 件被布置在位于壳体内的下腔室之下。5. 如权利要求4所述的基底处理装置，其特征在于，加工单元还包括处 理流体分配单元，其将处理流体分配到每一个基底处理单元的处理流体供 给元件内，并且该处理流体分配单元垂直于基底传送单元的端部进行布置。6. 如权利要求5所述的基底处理装置，其特征在于，基底传送单元具有 双重结构，以使得基底传送单元与基底处理单元的上腔室和下腔室相对应。7. 如权利要求6所述的基底处理装置，其特征在于，主框架是由线性结 构材料所构成的空间形式。8. —种基底处理装置，包括加工设备，在其中进行单晶片型基底清洗过程；以及 布置在加工设备前侧处的设备前端模块，该设备前端模块将基底装载到 加工设备内或从加工设备中卸载基底， 其中加工设备包括主框架，其具有由线性结构材料构成的空间形式；可拆除地被布置在主框架上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成豪，姜秉万，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]