一种基底处理装置，它包括提供了用于进行基底处理过程的处理空间的处理室、其上保持着基底的基底保持部件以及安装在处理室的上侧处的气体分配板。所述气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通道，用于将等离子体和处理气体分配给处理空间。根据本发明专利技术，在处理室内的不均匀空间中提供了均匀的等离子体密度，从而能均匀地处理基底。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基底处理装置。更具体地，本专利技术涉及一种基底处理装 置，其具有在将基底装载到处理室或从处理室卸载时打开/关闭的基底入口，本专利技术还涉及一种基底处理方法。技术背景在用于处理半导体晶片或液晶基底的常规装置中，半导体晶片或液 晶基底通过形成在处理室处并作为基底传输通道的基底入口而进入或退 出。在基底入口处，安装有闸门阀以便打开或关闭基底入口。如图1所示，闸门阀20安装在处理室IO的一个侧壁处，以便打开 或关闭作为处理室10的基底传输通道的基底入口 12。根据这种结构，通 过形成在处理室10的一个侧面处的基底入口 12将晶片W放入到处理室 10中或者从处理室10中取出。这种常规处理室存在着要在下面进行详细说明的问题。由于常规闸门阀20与处理室10的外侧连接以便选择性地打开或关 闭形成在处理室10的一个侧面13处的基底入口 12，所以在处理室10 内出现空间不对称性，从而在对基底W进行等离子体处理期间会引起不 均匀性。也就是说，在基底入口 12处，产生了与腔室间隔的厚度对应的 空间不均匀性，从而使得难以在处理室10内均匀地进行等离子体处理。 尤其是，在基底W的左边缘a和右边缘b处的等离子体密度之间 存在差异，从而降低了基底处理均匀性。为了解决上面的问题，已经提出了各种方案。其中一个方案在于， 在基底入口的内侧处还安装有闸门阀以与基底入口配合。但是，该方案需要在处理室内安装活动部件，从而会产生颗粒物并出现误差。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施方案涉及基底处理装置。在一示例性实施方案 中，该基底处理装置可以包括处理室，它提供了用于进行基底处理过 程的处理空间，并且包括在那里安装有让基底进出的基底入口和安装有用来打开和关闭所述基底入口的闸门阀的一个侧面；安装在所述处理室 内的基底保持部件，其上放置通过所述基底入口进入的基底；以及安装 在所述处理室的上恻处的气体分配板，所述气体分配板包括多个不对称 形成的气体注入流动通道，用于将等离子体和处理气体分配给所述处理 空间。本专利技术的示例性实施方案涉及具有用于将等离子体和处理气体分配 到处理室内的基底上的气体分配板的基底处理装置。在一示例性实施方 案中，该气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通道，用于有 所不同地将等离子体和处理气体分配到所述处理室中。本专利技术的示例性实施方案涉及用于在基底上进行灰化处理的装置。在一示例性实施方案中，该装置可以包括处理室，它提供了用于进行基底处理过程的处理空间，并且包括在那里安装有让基底进出的基底入 口的一个侧面；多个安装在所述处理室内的基底保持部件，用来在处理期间保持基底；能量施加器，其被构造成用来向相应的基底保持部件施 加能量；等离子体发生部件，其被构造成用来产生等离子体并且将等离 子体供应到所述处理室中；排放部件，其被构造成用来将所述处理室中 的气体排出；分隔部件，其被设置成用来限定所述处理室中的处理空间 和所述排放部件的排放空间；以及安装在所述处理室中的处理空间上方 的气体分配板，所述气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通 道，用于将等离子体和处理气体分配给安放在所述基底保持部件上的相 应基底。本专利技术的示例性实施方案涉及基底处理方法。在一示例性实施方案 中，该基底处理方法可以包括通过处理室的基底入口将基底装载到设 在处理空间中的基底保持部件上；使所述处理室中的压力降低至预定压力；并且通过供气部件将处理气体和从等离子体发生部件产生出来的等 离子体供应到所述处理室的处理空间，其中供应到所述处理室的处理空 间的处理气体和等离子体被更多地供应到位于所述处理室的基底入口附 近的基底边缘区域。附图说明图1显示出常规的灰化装置。图2为根据本专利技术的基底处理装置的外视图。 图3为根据本专利技术的基底处理装置的前剖视图。 图4为沿着图3的A-A'线剖开的剖视图。 图5为沿着图4的B-B'线剖开的剖视图。 图6为第一气体分配板的俯视图。图7为平面剖视图，显示出其中将图8的气体分配板应用于本专利技术 的例子。图8显示出改进的气体分配板。图9显示出包括形成有狭缝式气体注入流动通道的第二边缘部分的 气体分配板。具体实施方式下面将参照附图对本专利技术进行更详细说明，在这些附图中显示出了 本专利技术的优选实施方案。但是，本专利技术可以按照许多不同方式实施，并 且不应该被解释为局限于在这里所给出的实施方案。这些实施方案只是 以这样的方式提供，从而使得本专利技术的公开内容是全面完整的，并且将 把本专利技术的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见 而将各个元件和部件放大。相同的附图标记始终指代相同的元件。虽然本专利技术的实施方案将结合用于在光蚀刻加工之后使用等离子体 去除留在基底上的不想要的光刻胶的等离子体灰化装置进行说明，但是 本专利技术不限于此，并且可以应用于使用等离子体处理半导体基底的所有 装置。另外，虽然下面将微波描述为用于产生等离子体的能量源，但是可 以采用各种能量源，例如射频(RF)能量。参照图2~图6，根据本专利技术一个实施方案的基底处理装置100是用于使用从等离子体源部件产生出来的基团而对半导体基底进行灰化的半 导体制造装置。如图2~图4所示，基底处理装置IOO包括提供有预定密封氛围的处 理室110、基底保持部件120、排放部件150、分隔部件160、等离子体 发生部件140以及具有第一气体分配板170a和第二气体分配板170b的 供气部件130。处理室110提供了在其中进行灰化处理的处理空间并且被构造成同 时处理两块基底。也就是说，处理室100的处理空间分成第一空间a 和第二空间b，每个空间都是在处理期间在装入的相应基底上进行灰 化处理的空间。在处理室110的一个侧壁处形成有基底入口 112，基底 W分别通过基底入口 112进入或退出第一空间a和第二空间b。 基底入口 112通过诸如闸门阀等开/关门114打开和关闭。在处理室的底壁处设有排放口 116，处理室110中的气体通过排放 口 116排出。排放口 116围绕着它们的基底保持部件120形成，从而呈 现环形形状。虽然在该实施方案中描述了处理室110具有两个空间a 和b，但是处理室110中的分隔空间的数量可以为三个或更多个。在处理室110的第一空间a和第二空间b处分别安装有基底 保持部件120，用来在处理期间保持着基底W。基底保持部件120在处 理期间安装有基底W，并且将所安装的基底W加热至预定处理温度。为 了加热基底W，基底保持部件120具有这样一种常规结构，它包括用于 将基底W加热至预定温度的加热器以及用于在保持着基底W的同时使 基底W上升和下降以使得机械手能够容易地传输基底W的升降组件(未 示出)。将基底保持部件120维持在适合于除去基底W上的光刻胶的温 度(大约200~400摄氏度)下。升降组件可以包括用于支撑由机械手(未示 出)放入的基底W的底面的升降销和用于使升降位置上升(上位置)和下降 (下位置)的驱动器。升降销使得基底W能够从基底保持部件120的顶面移动到与基底保持部件120的顶面间隔开的上位置以及将基底W安放在基底保持部件120的顶面上的下位置。能量施加器122与基底保持部件 120连接，并且向基底保持部件120施加预定的偏压能量。如图3所示，设有排放部件150，用来使得处理室1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基底处理装置，包括：处理室，它提供了用于进行基底处理过程的处理空间，并且包括在那里安装有让基底进出的基底入口和安装有用来打开和关闭所述基底入口的闸门阀的一个侧面；安装在所述处理室内的基底保持部件，其上放置通过所述基底入口 进入的基底；以及安装在所述处理室的上侧处的气体分配板，所述气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通道，用于将等离子体和处理气体分配给所述处理空间。
【技术特征摘要】
KR 2007-1-17 10-2007-00052421.一种基底处理装置，包括处理室，它提供了用于进行基底处理过程的处理空间，并且包括在那里安装有让基底进出的基底入口和安装有用来打开和关闭所述基底入口的闸门阀的一个侧面；安装在所述处理室内的基底保持部件，其上放置通过所述基底入口进入的基底；以及安装在所述处理室的上侧处的气体分配板，所述气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通道，用于将等离子体和处理气体分配给所述处理空间。2. 如权利要求l所述的基底处理装置，其中，在所述气体注入流动 通道之中，形成在位于所述基底入口附近区域处的气体注入流动通道的 开口密度大于形成在其它区域处的气体注入流动通道的开口密度。3. 如权利要求2所述的基底处理装置，其中，在所述不对称气体注 入流动通道之中，形成在位于所述基底入口附近区域处的气体注入流动 通道具有相对更大的尺寸。4. 如权利要求2所述的基底处理装置，还包括 设在所述气体分配板的上侧处的等离子体源单元，用于产生等离子体。5. 如权利要求l所述的基底处理装置，其中，所述处理室还包括形 成在其底部处的排放口。6. 如权利要求5所述的基底处理装置，其中，形成在位于所述排放 口附近区域处的气体注入流动通道的尺寸大于形成在其它区域处的气体 注入流动通道的尺寸。7. 如权利要求1所述的基底处理装置，其中，形成在位于所述基底 入口附近区域处的每条气体注入流动通道的尺寸大约比形成在其它区域处的每条气体注入流动通道的尺寸大1%~1000%。8. —种基底处理装置，具有用于将等离子体和处理气体分配到处理室内的基底上的气体分配板，其中，所述气体分配板包括多个不对称形 成的气体注入流动通道，用于有所不同地将等离子体和处理气体分配到 所述处理室中。9. 一种用于在基底上进行灰化处理的装置，所述装置包括处理室，它提供了用于进行基底处理过程的处理空间，并且包括在那里安装有让基底进出的基底入口的一个侧面；多个安装在所述处理室内的基底保持部件，用来在处理期间保持基底；能量施加器，其被构...
【专利技术属性】
技术研发人员：白仁赫，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。