【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理装置及基板处理方法，更详细而言涉及一种利用等离子体来处理基板的基板处理装置及基板处理方法。
技术介绍
1、等离子体是指由离子或自由基以及电子等构成的被离子化的气体状态，其由非常高的温度或强的电场或高频电磁场(rf electromagnetic fields)来生成。半导体元件制造工艺包括利用等离子体来去除基板上的膜质的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过等离子体中含有的离子以及自由基粒子与基板上的膜质碰撞或反应来执行。利用等离子体来处理基板的工艺以多样的方式执行。其中，对基板的边缘区域进行处理的斜面蚀刻装置向基板的边缘区域传递等离子体来处理基板的边缘区域。
2、图1是概略示出一般的斜面蚀刻装置的一部分的图。一般的斜面蚀刻装置a包括：卡盘1100、下部绝缘体1200、介电板1300、等离子体排除区域(plasma exclusion zone，pez)环1400以及冷却板1500。
3、卡盘1100具有供基板w安放的安放面。下部绝缘体1200被提供为，从上部观察时包围卡盘1100。介电板1300配置在与卡盘1100上安放的基板w的上表面面对的位置。pez环1400被提供为，从上部观察时包围介电板1300。在pez环1400形成有气体流路，在气体流路中流动有被激发为等离子体状态的工艺气体g。并且，pez环1400上形成的气体流路的吐出端朝向基板w的边缘区域。由此，从气体流路吐出的工艺气体g朝向基板w的边缘区域流动，由此，基板w的边缘区域上的薄膜通过传递等离子体而被处理。并且，为了抑制在处
4、但是，在利用如上所述的斜面蚀刻装置a来处理基板w的边缘区域的情况下，不易根据基板w中所要求的处理条件来变更其处理率(例如，蚀刻率)。这是因为，当考虑到介电板1300以及pez环1400所具有的功能特性时，将不易根据基板w的种类而变更为其他形状或材料。
5、并且，一般而言介电板1300和冷却板1500被提供为彼此不同的材料。一般而言，介电板1300被提供为陶瓷材料，冷却板1500被提供为金属材料。在此情况下，由于介电板1300和冷却板1500根据材料特性而其热膨胀率彼此不同，在处理基板w的过程中在介电板1300和冷却板1500之间可能会发生错位。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的一目的在于，提供一种能够有效地处理基板的基板处理装置及基板处理方法。
3、并且，本专利技术的一目的在于，提供一种能够更加提高对于基板的边缘区域的等离子体处理效率的基板处理装置及基板处理方法。
4、并且，本专利技术的一目的在于，提供一种能够变更处理率的基板处理装置及基板处理方法。
5、本专利技术所要解决的技术问题并不限定于上述的技术问题，本专利技术所属的
的普通技术人员能够从本说明书及所附的附图清楚地理解未被提及到的技术问题。
6、用于解决问题的手段
7、本专利技术提供一种处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：壳体，具有处理空间；气体供应单元，用于向所述处理空间供应气体；支撑单元，具有卡盘以及下部电极，所述卡盘在所述处理空间支撑基板，所述下部电极被配置为在从上部观察时包围所述卡盘；温度调节板，设置在所述壳体；介电板单元，与所述温度调节板结合，所述介电板单元具有介电板，所述介电板在所述处理空间以与被所述支撑单元支撑的基板面对的方式配置；以及上部电极单元，与所述温度调节板结合，所述上部电极单元具有上部电极，所述上部电极以与所述下部电极面对的方式配置，所述介电板单元包括配置在所述介电板和所述温度调节板之间的第一基座。
8、根据一实施例，所述第一基座可以被提供为与所述介电板不同的材料。
9、根据一实施例，所述第一基座可以被提供为与所述温度调节板相同的材料。
10、根据一实施例，所述第一基座的热膨胀率可以比所述介电板的热膨胀率更接近于所述温度调节板的热膨胀率。
11、根据一实施例，所述上部电极单元可以包括第二基座，当从上部观察时，所述第二基座包围所述第一基座，并配置在所述上部电极和所述温度调节板之间，所述第一基座和所述第二基座彼此隔开，来形成供所述气体供应单元所供应的气体流动的气体通道。
12、根据一实施例，所述气体供应单元可以包括：第一气体供应部，用于向所述气体通道供应被激发为等离子体的工艺气体。
13、根据一实施例，所述第二基座可以被提供为与所述温度调节板相同的材料。
14、根据一实施例，所述第二基座的热膨胀率可以比所述上部电极的热膨胀率更接近于所述温度调节板的热膨胀率。
15、根据一实施例，所述气体通道的吐出端可以形成为，朝向被所述支撑单元支撑的基板的边缘区域。
16、根据一实施例，在所述介电板可以形成有供所述气体供应单元所供应的气体流动的气体流路，所述气体流路的吐出端形成为，朝向被所述支撑单元支撑的基板的中央区域。
17、根据一实施例，所述气体供应单元可以包括：第二气体供应部，用于向所述气体流路供应非活性气体。
18、并且，本专利技术提供一种利用基板处理装置来处理基板的方法。
19、作为处理基板的方法的一实施例，所述第一基座可以被提供为多个，被提供为多个的所述第一基座具有彼此不同的形状和/或不同的材料，基板引入到所述处理空间，并通过向被所述支撑单元支撑的基板的边缘区域传递等离子体来对基板的边缘区域进行蚀刻处理，其中，在所述处理空间中被处理的基板为第一基板的情况下，将所述第一基座中被选择的一个第一基座设置在所述介电板和所述温度调节板之间，在所述处理空间中被处理的基板为与所述第一基板不同的第二基板的情况下，将所述第一基座中被选择的另一个第一基座设置在所述介电板和所述温度调节板之间，以变更对于所述基板的边缘区域的蚀刻率。
20、作为处理基板的方法的一实施例，所述第二基座可以被提供为多个，被提供为多个的所述第二基座具有彼此不同的形状和/或不同的材料，基板引入到所述处理空间，并通过向被所述支撑单元支撑的基板的边缘区域传递等离子体来对基板的边缘区域进行蚀刻处理，其中，在所述处理空间中被处理的基板为第一基板的情况下，将所述第二基座中被选择的一个第二基座设置在所述上部电极和所述温度调节板之间，在所述处理空间中被处理的基板为与所述第一基板不同的第二基板的情况下，将所述第二基座中被选择的另一个第二基座设置在所述上部电极和所述温度调节板之间，以变更对于所述基板的边缘区域的蚀刻率。
21、专利技术效果
22、本专利技术的根据一实施例，能够有效地处理基板。
23、并且，本专利技术的根据一实施例，能够均匀地执行针对基板的等离子体处理。
24、并且，本专利技术的根据一实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其用于处理基板，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
12.一种基板处理方法，所述方法利用根据权利要求2所述的基板处理装置来处理基板，其中，
13.一种基板处理方法，所述方法利用根据权利要求5所述的基板处理装置来处理基板，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置，其用于处理基板，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
8.根据权...
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