【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理设备及介电板对准方法，更详细而言，涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理设备以及对准向该基板处理设备提供的介电板的方法。
技术介绍
1、等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的离子化的气体状态，通过极高的温度或强电场或高频电磁场(rf electromagnetic fields)而产生。半导体元件制造制程包括利用等离子体去除基板上的膜质的灰化(ashing)或蚀刻(etching)制程。灰化或蚀刻制程通过等离子体所含有的离子和自由基粒子与基板上的膜质发生碰撞或反应而执行。利用等离子体处理基板的制程以多样方式执行。其中，处理基板的边缘区域的倾斜蚀刻(beveletch)设备向基板的边缘区域传递等离子体来处理基板的边缘区域。
2、倾斜蚀刻装置向基板的边缘供应被激发为等离子体状态的制程气体来对基板进行蚀刻处理。为了防止基板中除边缘区域以外的其余区域被蚀刻处理，作为绝缘体提供的介电板位于基板的上部。为了只处理基板的边缘区域，调节介电板与基板的相对位置是重要的。
3、不过，为此若另行配备用于移动介电板的结构物，则构成现有的倾斜蚀刻设备内部会受到空间制约，存在倾斜蚀刻设备的体积增大的问题。
技术实现思路
1、技术课题
2、本专利技术一个目的在于提供一种能够高效调节绝缘体与基板的相对位置的基板处理设备及介电板对准方法。
3、另外，本专利技术一个目的在于提供一种能够进一步提高对基板的边缘区域的等离子体处理效率的基板处理设备及介
4、本专利技术要解决的课题并非限定于上述课题，对于未提及的课题，本专利技术所属
的技术人员可以从本说明书及附图而明确理解未提及的课题。
5、解决技术课题的技术方案
6、本专利技术提供一种基板处理设备。在一实施例中，基板处理设备可以包括：壳体，所述壳体通过上部壳体和下部壳体组合来限定处理空间；气体供应单元，所述气体供应单元向处理空间供应气体；支撑单元，所述支撑单元具有在处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围卡盘的方式提供的下部电极；介电板单元，所述介电板单元具有与在处理空间被支撑单元支撑的基板相向配置的介电板；以及上部电极单元，所述上部电极单元结合于介电板单元，具有与下部电极相向配置的上部电极；所述上部电极单元可以结合于下部壳体。
7、在一实施例中，可以在下部壳体的上部提供台阶，上部电极单元可以置放于台阶。
8、在一实施例中，可以包括：第一形状部，所述第一形状部形成在介电板单元的底面；以及第二形状部，所述第二形状部在预设位置以与第一形状部对应的方式形成在支撑单元上；第一形状部与第二形状部中的任意一个可以为凸起，而另一个可以为槽。
9、在一实施例中，可以还包括：驱动构件，所述驱动构件使支撑单元在下降位置与上升位置之间升降；下降位置可以是基板搬入处理空间的位置，上升位置可以是第一形状部与第二形状部相接的位置。
10、在一实施例中，基板可以通过壳体的侧面搬入处理空间。
11、在一实施例中，基板可以在处理位置在处理空间内被处理，处理位置可以提供在下降位置与上升位置之间。
12、在一实施例中，可以还包括：密封构件，所述密封构件提供在上部壳体与下部壳体之间，密闭处理空间。
13、在一实施例中，上部电极单元可以还包括：第二底座，所述第二底座结合有上部电极与介电板单元。
14、在一实施例中，介电板单元可以还包括：第一底座，所述第一底座配置于介电板与温度调节板之间。
15、在一实施例中，气体供应单元可以包括：气体通道，所述气体通道形成在第一底座与第二底座相互隔开的空间；以及第一气体供应部，所述第一气体供应部向气体通道供应被激发为等离子体的制程气体；气体通道的吐出端可以对着被支撑单元支撑的基板的边缘区域。
16、在一实施例中，气体供应单元可以包括：气体流路，所述气体流路提供在介电板内；以及第二气体供应部，所述第二气体供应部向气体流路供应非活性气体；气体流路的吐出端可以以对着被支撑单元支撑的基板的中央区域的方式形成。
17、另外，本专利技术提供一种介电板对准方法。在一实施例中，介电板对准方法可以在处理空间内处理基板之前或之后，相对于撑单元,将介电板对准到预设位置，并且在使支撑单元上升到上升位置后，可以以使第一形状部对应于第二形状部的方式将介电板单元结合于下部壳体。
18、在一实施例中，在将基板搬入处理空间时，支撑单元可以置放于比上升位置低的下降位置。
19、在一实施例中，在处理空间内处理基板期间，支撑单元可以置放于上升位置与下降位置之间。
20、专利技术效果
21、根据本专利技术一实施例，可以高效处理基板。
22、另外，根据本专利技术一实施例，可以均匀地执行对基板的等离子体处理。
23、另外，根据本专利技术一实施例，可以进一步提高对基板边缘区域的等离子体处理效率。
24、本专利技术的效果不限于上述效果，对于未提及的效果，本专利技术所属
的技术人员可以从本说明书及附图明确理解。
【技术保护点】
1.一种基板处理设备，所述基板处理设备处理基板，其中，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述下部壳体的上部提供台阶，
3.如权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，包括：
4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，
5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，基板通过所述壳体的侧面搬入所述处理空间。
6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述基板在处理位置在所述处理空间内被处理，
7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，还包括：
8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述上部电极单元还包括：
9.如权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述介电板单元还包括：
10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述气体供应单元包括：
11.如权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述气体供应单元包括：
12.一种介电板对准方法，所述介电板对准方法利用权利要求3的基板处理设备来对准所述介电板，其中，
13.如权利要求12所述的
14.如权利要求13所述的介电板对准方法，其中，在所述处理空间内处理基板期间，所述支撑单元置放于所述上升位置与所述下降位置之间。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理设备，所述基板处理设备处理基板，其中，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述下部壳体的上部提供台阶，
3.如权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，包括：
4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，
5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，基板通过所述壳体的侧面搬入所述处理空间。
6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述基板在处理位置在所述处理空间内被处理，
7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，还包括：
8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述上部电极单元还包括：
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