基板处理设备及介电板对准方法技术

本发明专利技术提供基板处理设备。在一实施例中，基板处理设备可以包括：壳体，所述壳体通过上部壳体和下部壳体组合来限定处理空间；气体供应单元，所述气体供应单元向处理空间供应气体；支撑单元，所述支撑单元具有在处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围卡盘的方式提供的下部电极；介电板单元，所述介电板单元具有与在处理空间被支撑单元支撑的基板相向配置的介电板；上部电极单元，所述上部电极单元结合于介电板单元，具有与下部电极相向配置的上部电极；所述上部电极单元可以结合于下部壳体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基板处理设备及介电板对准方法，更详细而言，涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理设备以及对准向该基板处理设备提供的介电板的方法。

技术介绍

1、等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的离子化的气体状态，通过极高的温度或强电场或高频电磁场(rf electromagnetic fields)而产生。半导体元件制造制程包括利用等离子体去除基板上的膜质的灰化(ashing)或蚀刻(etching)制程。灰化或蚀刻制程通过等离子体所含有的离子和自由基粒子与基板上的膜质发生碰撞或反应而执行。利用等离子体处理基板的制程以多样方式执行。其中，处理基板的边缘区域的倾斜蚀刻(beveletch)设备向基板的边缘区域传递等离子体来处理基板的边缘区域。

2、倾斜蚀刻装置向基板的边缘供应被激发为等离子体状态的制程气体来对基板进行蚀刻处理。为了防止基板中除边缘区域以外的其余区域被蚀刻处理，作为绝缘体提供的介电板位于基板的上部。为了只处理基板的边缘区域，调节介电板与基板的相对位置是重要的。

3、不过，为此若另行配备用于移动介电板的结构物，则构成现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备处理基板，其中，包括：

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述下部壳体的上部提供台阶，

3.如权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，包括：

4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，

5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，基板通过所述壳体的侧面搬入所述处理空间。

6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述基板在处理位置在所述处理空间内被处理，

7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，还包括：

8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述上部电极...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备处理基板，其中，包括：

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述下部壳体的上部提供台阶，

3.如权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，包括：

4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，

5.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，基板通过所述壳体的侧面搬入所述处理空间。

6.如权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述基板在处理位置在所述处理空间内被处理，

7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，还包括：

8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述上部电极单元还包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘光星，朴周怜，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：