基板处理设备及介电板对准方法技术

本发明专利技术提供一种基板处理设备。在一实施例中，基板处理设备可以包括：壳体，其上部开放，在其内部具有处理空间；气体供应单元，其向处理空间供应气体；支撑单元，其具有在处理空间支撑基板的卡盘和从上部观察时以包围卡盘的方式提供的下部电极；介电板单元，其具有与在处理空间被支撑单元支撑的基板相向地配置的介电板；上部电极单元，其结合于介电板单元，具有与下部电极相向地配置的上部电极；以及对准单元，其对准介电板单元的水平方向配置；在壳体的上部提供从壳体向水平方向延伸并结合于上部电极单元的盖；对准单元结合于盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基板处理设备及介电板对准方法，更详细地涉及一种利用等离子体处理基板的基板处理设备及介电板对准方法。

技术介绍

1、等离子体是指由离子、自由基、电子等构成的离子化的气体状态，通过极高的温度或强电场或高频电磁场(rf electromagnetic fields)而生成。半导体元件制造制程包括利用等离子体去除基板上的膜质的灰化(ashing)或蚀刻(etching)制程。灰化或蚀刻制程通过等离子体所含有的离子和自由基粒子与基板上的膜质发生碰撞或反应而执行。利用等离子体处理基板的制程以多种方式执行。其中，处理基板的边缘区域的倾斜蚀刻(beveletch)设备向基板的边缘区域传递等离子体来处理基板的边缘区域。

2、倾斜蚀刻设备向基板的边缘供应被激发为等离子体状态的制程气体来蚀刻处理基板。为了防止基板中除边缘区域之外的其余区域被蚀刻处理，作为绝缘体提供的介电板位于基板的上部。为了只处理基板的边缘区域，调节介电板与基板的相对位置是重要的。

3、不过，为此若另行配备用于移动介电板的结构物，则构成现有的倾斜蚀刻设备内部会受到空间制约，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理设备，用于处理基板，其中，包括：

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述对准单元包括：

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述主体被提供为能够装卸于所述盖的形态。

4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述盖被提供为环状，所述对准螺栓被提供为以所述盖的中心为基准对称。

5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述盖与所述上部电极单元螺栓结合。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理设备，其中，进一步包括：

7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，从上部观察时，所述检视口被提...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理设备，用于处理基板，其中，包括：

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述对准单元包括：

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述主体被提供为能够装卸于所述盖的形态。

4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述盖被提供为环状，所述对准螺栓被提供为以所述盖的中心为基准对称。

5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述盖与所述上部电极单元螺栓结合。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理设备，其中，进一步包括：

7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，从上部观察时，所述检视口被提供在不与所述盖重叠的位置。

8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述介电板单元和所述上部电极单元结合于温度调节板。

9.如权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述介电板单元进一步包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光星，朴周怜，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：