用于处理基板的设备制造技术

本发明专利技术构思提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括壳体，具有处理空间；支撑单元，配置为支撑在处理空间中的基板；以及气体供应单元，配置为将激发成为电浆的气体供应至处理空间，且其中支撑单元包括：卡盘，支撑基板的中心区域；以及边缘电极，以环状形成，且其中，边缘电极包括：主体部，在卡盘的外侧处环绕卡盘；以及突出部，形成为突出至主体部的外侧，且在突出部形成有贯穿突出部的孔，且孔排出处理空间的大气。

【技术实现步骤摘要】

本文描述的本专利技术的实施例关于一种基板处理设备，更具体地，关于一种使用电浆的基板处理设备。

技术介绍

1、电浆是指由离子、自由基和电子组成的离子化气态。电浆是由非常高的温度、强磁场或高频电磁场产生。半导体组件制造制程包括使用电浆来去除基板上的薄膜的蚀刻或灰化制程。灰化制程或蚀刻制程是通过电浆中包含的离子和自由基粒子与基板上的膜碰撞或反应来执行的。

2、当使用电浆处理基板时，随着产生电浆的区域增加，相应区域中的压力控制是困难的。此外，随着产生电浆的区域增加，更难以控制相应区域中的气流。因此，产生电浆的区域的气体均匀性会降低。如此一来，若是难以控制压力和气流，将难以在产生电浆的区域中根据处理需求激发相应的气体。即，随着产生电浆的区域增加，电浆密度会下降。当电浆密度下降，以输入时间相比，基板的处理效率下降。

技术实现思路

1、本专利技术构思的实施例提供一种用于有效处理基板的基板处理设备。

2、本专利技术构思的实施例提供一种用于在基板的边缘区域处产生高密度电浆的基板处理设备。

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【技术保护点】

1.一种基板处理设备，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部与所述主体部一体成形。

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述突出部沿着所述主体部的圆周方向形成。

4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述突出部的外周延伸到所述壳体的侧壁。

5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，在所述壳体处形成有排气孔，用以排出所述处理空间的所述大气，且

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部的顶面位于与所述主体部的顶面为相同的高度处。

7.根据权利要求1所述的基板处理...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理设备，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部与所述主体部一体成形。

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述突出部沿着所述主体部的圆周方向形成。

4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述突出部的外周延伸到所述壳体的侧壁。

5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，在所述壳体处形成有排气孔，用以排出所述处理空间的所述大气，且

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部的顶面位于与所述主体部的顶面为相同的高度处。

7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部形成在所述主体部的顶端处，且

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述突出部的所述顶面位在低于所述主体部的所述顶面处。

9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述突出部的顶面倾斜的形成。

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述突出部的所述顶面朝向所述壳体的侧壁向下倾斜的形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光星，李钟澯，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：