具有叠置标记的半导体结构、其制备方法及其制备系统技术方案

技术编号:40547232 阅读:17 留言:0更新日期:2024-03-05 19:05
本公开内容提供一种半导体结构、其制备方法及其制备系统。该制备方法包括若干操作。提供一基底,包括一元件区及一切割道区。在该基底上形成一第一层。在该切割道区中的该第一层上形成一第一光激发光层。该第一层及该第一光激发光层经图案化以在该切割道区中形成一第一图案。在一第二层上形成一第一图案化遮罩层。检测该第一图案化遮罩层与该第一图案的一对准。该第一图案化遮罩层的一图案被转移至该第二层,以在该切割道区中形成一第二图案。

【技术实现步骤摘要】

本申请案主张美国第17/898,116号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年8月29日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体结构及其制备方法,特别是关于一种具有包括光激发光(photoluminescent)材料的叠置标记的半导体结构及其制备方法。


技术介绍

1、随着半导体产业的发展,在微影(lithography)操作中减少光阻图案与底层图案的叠置误差愈形重要。由于各种的因素,例如测量结构的不对称形状,使得正确地测量叠置误差更加困难,因此需要一种新的叠置标记及测量方法来更精确地测量叠置误差。

2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
,并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的,不构成本公开的先前技术,且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。


技术实现思路

1、本公开的一个方面提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括提供一基底,包括一元件区及该元件区周围的一切割道区;在该基底上形成一第一层;在该切割道区中的该第一层上形成一第一光激发光层;本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法,包括:

2.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层包括罗丹明、亚胺、一荧光聚酰亚胺或其组合。

3.如权利要求2所述的制备方法,其中该荧光聚酰亚胺包括三苯胺。

4.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层的制作技术包含沉积、溅镀、掺杂及涂层中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案的该第一光激发光层透过该第二图案曝露。

6.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案包围该第二图案。

7.如权利要求1所述的制备方法,其中从一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法,包括:

2.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层包括罗丹明、亚胺、一荧光聚酰亚胺或其组合。

3.如权利要求2所述的制备方法,其中该荧光聚酰亚胺包括三苯胺。

4.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层的制作技术包含沉积、溅镀、掺杂及涂层中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案的该第一光激发光层透过该第二图案曝露。

6.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案包围该第二图案。

7.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案环绕该第二图案。

8.如权利要求1所述的制备方法,其中检测该对准包括:

9.如权利要求8所述的制备方法,其中检测该对准更包括:

10.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一图案包括一导电材...

【专利技术属性】
技术研发人员:林采葳
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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