【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/898,116号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年8月29日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体结构及其制备方法,特别是关于一种具有包括光激发光(photoluminescent)材料的叠置标记的半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体产业的发展,在微影(lithography)操作中减少光阻图案与底层图案的叠置误差愈形重要。由于各种的因素,例如测量结构的不对称形状,使得正确地测量叠置误差更加困难,因此需要一种新的叠置标记及测量方法来更精确地测量叠置误差。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
,并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的,不构成本公开的先前技术,且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括提供一基底,包括一元件区及该元件区周围的一切割道区;在该基底上形成一第一层;在该切割道区中的该第一层上形
...【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法,包括:
2.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层包括罗丹明、亚胺、一荧光聚酰亚胺或其组合。
3.如权利要求2所述的制备方法,其中该荧光聚酰亚胺包括三苯胺。
4.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层的制作技术包含沉积、溅镀、掺杂及涂层中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案的该第一光激发光层透过该第二图案曝露。
6.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案包围该第二图案。
7.如权利要求1所述
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法,包括:
2.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层包括罗丹明、亚胺、一荧光聚酰亚胺或其组合。
3.如权利要求2所述的制备方法,其中该荧光聚酰亚胺包括三苯胺。
4.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一光激发光层的制作技术包含沉积、溅镀、掺杂及涂层中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案的该第一光激发光层透过该第二图案曝露。
6.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案包围该第二图案。
7.如权利要求1所述的制备方法,其中从一俯视角度,该第一图案环绕该第二图案。
8.如权利要求1所述的制备方法,其中检测该对准包括:
9.如权利要求8所述的制备方法,其中检测该对准更包括:
10.如权利要求1所述的制备方法,其中该第一图案包括一导电材...
【专利技术属性】
技术研发人员:林采葳,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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