【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电阻测量装置及基于所述电阻测量装置的电阻测量方法。
技术介绍
1、多种半导体器件通常可以通过诸如氧化工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺的各种工艺来制造。可以提供被配置为在半导体制造设施中的各种工艺中支撑基板的静电吸盘或加热器。随着半导体器件集成度的提高，精细图案化的重要性也随之增加。在基板处理过程中，当基板支撑不稳定或温度加热不均匀时，可能难以形成多种精细图案，因此需要高质量的静电吸盘或加热器。
技术实现思路
1、本公开提供一种能够在不破坏样品的情况下测量样品的体积电阻的电阻测量装置以及基于所述电阻测量装置的电阻测量方法。
2、本公开还提供一种能够测量样品的一部分体积电阻的电阻测量装置以及基于所述电阻测量装置的电阻测量方法。
3、另外，本公开的技术精神要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员可以从下面的描述中清楚地理解其他问题。
4、另外的多个方面将在以下说明书中部分地阐述，并且部分地将通过说明书变得显而易见，或者可以通过实践本公开所呈现的多个实施例而了解。
5、根据本公开的一方面，一种测量包括样品电极的样品的电阻的方法，包括在所述样品的上表面上的至少部分区域形成中心电极和边缘电极，通过电源向所述样品电极、所述中心电极和所述边缘电极传输电流，用安培计测量所述样品电极和所述中心电极之间流过的电流，以及从所述样品的所述上表面移除所述中心电极和所述边缘电极。
6、根据本公开的一个方面，一种用于包括样品电极
7、根据本公开的一方面，一种用于包括样品电极的陶瓷样品的电阻测量装置，包括：中心电极和边缘电极，被配置为可从所述样品的上表面拆卸并通过以喷涂方式施加液体电极而形成；电源，被配置为向样品电极、中心电极和边缘电极供电；安培计，被配置为测量所述样品和所述中心电极之间的电流，其中，所述陶瓷样品包括陶瓷静电吸盘或陶瓷加热器，所述中心电极的上表面的面积小于所述样品的上表面的面积，以及所述边缘电极与所述中心电极间隔开并围绕所述中心电极。
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1.一种测量包括样品电极的样品的电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述中心电极和所述边缘电极的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中形成所述中心电极和所述边缘电极的步骤包括将液体电极施加到所述电极图案。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，移除所述中心电极和所述边缘电极的步骤包括将碱性液体或酒精液体喷涂到所述样品上。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样品包括陶瓷静电吸盘或陶瓷加热器。
10.一种用于包括样品电极的样品的电阻测量装置，其特征在于，所述电阻测量装置包括：
11.根据权利要求10所述的电阻测量装置，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的电阻测量装置，其特征在于，
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