【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置以及基板处理装置用涂层膜的检查方法。
技术介绍
1、通常，制造半导体装置的工艺包括用于在半导体晶圆(以下，称为基板)上形成膜的蒸镀工艺、用于将膜平坦化的化学/机械研磨工艺、用于在膜上形成光刻胶图案的光刻工艺、用于利用光刻胶图案将膜形成为具有电特性的图案的蚀刻工艺、用于在基板的预定区域注入特定离子的离子注入工艺、用于去除基板上的杂质的清洗工艺、用于检查形成有膜或者图案的基板的表面的检查工艺等。
2、上述的工艺中的一部分工艺可以利用等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)腔室、反应离子蚀刻(rie)腔室、电子回旋共振(ecr)腔室等之类等离子体腔室来执行。如此利用等离子体的工艺在各个腔室内部由于等离子体引起的反应在腔室内部可能产生磨耗。为了解决其且提高腔室构件的再生利用性，执行将腔室以及适用于腔室内部的构件在适用于等离子体工艺之前在其表面涂覆保护物质而形成涂层膜的过程。通常，这样的涂覆过程适用叠层几十μm大小的粒子的大气等离子体喷涂方式，在喷涂的特性上可能在涂覆过程中在粒子间界面产生气孔
【技术保护点】
1.一种基板处理装置用涂层膜的检查方法，用于对在配置于处理空间内的构件涂覆的涂层膜的质量进行检查，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
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【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置用涂层膜的检查方法，用于对在配置于处理空间内的构件涂覆的涂层膜的质量进行检查，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
6.根据权利要求5所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置用涂层膜的检查方法，其中，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置用...
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