【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及能够对提供为围绕基板而使等离子体向基板集中的聚焦环进行检查的聚焦环检查装置以及聚焦环检查方法以及基板处理装置。
技术介绍
1、通常，制造半导体装置的工艺包括用于在半导体晶圆(以下，称为基板)上形成膜的蒸镀工艺、用于将膜平坦化的化学/机械研磨工艺、用于在膜上形成光刻胶图案的光刻工艺、用于利用光刻胶图案将膜形成为具有电特性的图案的蚀刻工艺、用于在基板的预定区域注入特定离子的离子注入工艺、用于去除基板上的杂质的清洗工艺、用于检查形成有膜或者图案的基板的表面的检查工艺等。
2、蚀刻工艺是用于将通过光刻工艺在基板上形成的光刻胶图案的暴露的区域去除的工艺。通常，蚀刻工艺的种类可以分为干式蚀刻(dry etching)和湿式蚀刻(wetetching)。
3、干蚀刻工艺向在进行蚀刻工艺的密闭的内部空间以预定间距隔开设置的上电极以及下电极施加高频电力而形成电场，向供应到密闭空间内部的反应气体施加电场而将反应气体激发并成为等离子体状态后，使得等离子体内的离子蚀刻位于下电极上的基板。
4、此时，需要在基板的上面整体中均匀形成等离子体。为了在基板的上面整体中均匀形成等离子体，设置聚焦环。
5、聚焦环设置为围绕配置于下电极上的静电卡盘(esc)以及基板的边缘。在静电卡盘的上方，通过施加高频功率而形成电场，聚焦环将形成电场的区域扩大成比基板所在的区域大。因此，基板位于形成等离子体的区域的中心，由此，可以均匀蚀刻基板。
6、在等离子体处理中，基板以及聚焦环由于直接暴露于等离子体，随着
7、当在静电卡盘和聚焦环之间配置导热部件时，随着等离子体处理被加热的聚焦环内的温度梯度根据聚焦环和导热部件的粘着状态而不同，聚焦环内的温度梯度影响晶圆的蚀刻率以及形成于晶圆上的图案的线宽，因此需要能够单独检查聚焦环内的温度梯度以及聚焦环和导热部件之间的粘着状态的系统。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供能够对为了均匀的等离子体处理而提供为围绕基板以及静电卡盘的边缘的聚焦环的状态单独进行检查的聚焦环检查装置。
2、另外，本专利技术旨在提供能够测定聚焦环内温度分布的聚焦环检查方法。
3、另外，本专利技术旨在提供能够对为了基于聚焦环内热分布提高对聚焦环的导热效率而附着于聚焦环下面的导热部件的粘着状态进行检查的基板处理装置。
4、本专利技术所要解决的课题不限于上述的课题，本专利技术所属
中具有通常知识的人可以从本说明书以及所附附图明确地理解未提及的课题。
5、根据本专利技术的一实施例，可以提供一种检查装置，用于检查包括导热部件的聚焦环。可以是，所述检查装置包括：壳体，提供所述聚焦环的检查空间，并且上壁的预定区域由透明材质提供；热板，设置于所述检查空间，并以支承所述聚焦环的状态热处理所述聚焦环；以及检查单元，获取完成热处理的所述聚焦环的热图像而检查所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
6、在一实施例中，可以是，所述检查单元包括：相机模组，拍摄所述聚焦环；以及检查部，基于通过所述相机模组拍摄的图像而监测所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。作为一例，所述检查部可以设置为包括存储空间以及检查程序的pc等形式。
7、在一实施例中，可以是，所述相机模组可以包括获取完成热处理的所述聚焦环内部的热图像的红外线相机。
8、在一实施例中，可以是，所述检查部根据由所述红外线相机获取的热图像来判断所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
9、在一实施例中，可以是，所述导热部件配置于所述聚焦环和所述热板之间，并以一个以上的焊盘或者片形式提供。
10、在一实施例中，可以是，当通过所述热板热处理所述聚焦环时，所述热板的热量通过所述导热部件传递到所述聚焦环。
11、在一实施例中，可以是，在所述聚焦环的底面中形成一个以上的槽，所述导热部件插入到所述槽。
12、根据本专利技术的一实施例，可以是，提供一种检查方法，包括：搬入步骤，向检查空间搬入附着有导热部件的聚焦环；热处理步骤，将所述聚焦环加热到目标温度；测定步骤，获取加热的所述聚焦环的热图像；以及判断步骤，基于在所述测定步骤中获取的数据来判断所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
13、在一实施例中，可以是，所述热处理步骤利用通过所述导热部件传递到所述聚焦环的热量来执行。
14、在一实施例中，可以是，所述测定步骤通过为了拍摄所述聚焦环而设置的红外线相机来执行。
15、在一实施例中，可以是，所述判断步骤将通过所述红外线相机获取的热图像与参考图像比较，根据进行所述比较得到的比较值来判断所述聚焦环和所述导热部件间的紧固状态。
16、在一实施例中，可以是，所述判断步骤在将所述聚焦环安装到基板处理装置之前执行。
17、在一实施例中，可以是，所述判断步骤在将所述聚焦环安装到基板处理装置之后执行。
18、在一实施例中，可以是，所述判断步骤根据在所述测定步骤中获取的所述聚焦环的热图像的分布均匀度来判断所述聚焦环和所述导热部件间的紧固状态。
19、在一实施例中，可以是，当在所述测定步骤中获取的所述聚焦环的热图像的分布针对所述聚焦环的整体面积均匀时，所述判断步骤判断所述聚焦环和所述导热部件间的紧固状态为正常。相反，可以是，当在所述测定步骤中获取的所述聚焦环的热图像的分布针对所述聚焦环的整体面积不均匀时，判断所述聚焦环和所述导热部件间的紧固状态为不良。
20、根据本专利技术的一实施例，可以是，提供一种基板处理装置，包括：腔室，在内部具有处理空间，并包括由透明材质形成的区域；基板支承单元，在所述处理空间支承基板；气体供应单元，向所述处理空间内供应气体；等离子体产生单元，用于在所述处理空间内使所述气体激发为等离子体状态；聚焦环，使所述等离子体向所述基板集中，并在下表面包括导热部件；以及检查单元，基于所述聚焦环的热图像来检查所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
21、在一实施例中，可以是，所述检查单元包括：红外线相机，通过由所述透明材质形成的区域而拍摄所述聚焦环；以及检查部，基于通过所述红外线相机拍摄的图像而监测所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
22、在一实施例中，可以是，所述红外线相机获取所述聚焦环内部的热图像。
23、在一实施例中，可以是，所述检查部根据由所述红外线相机获取的热图像来判断所述聚焦环和所述导热部件的紧固状态。
24、在一实施例中，可以是，所述检查部基于由所述红外线相机获取的所述聚焦环的热图像的均匀度来判断所述聚焦环和所述导热部件的紧固状本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种聚焦环检查装置，用于检查包括导热部件的聚焦环，其中，所述聚焦环检查装置包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环检查装置，其中，
3.根据权利要求2所述的聚焦环检查装置，其中，
4.根据权利要求3所述的聚焦环检查装置，其中，
5.根据权利要求1所述的聚焦环检查装置，其中，
6.根据权利要求5所述的聚焦环检查装置，其中，
7.根据权利要求5所述的聚焦环检查装置，其中，
8.一种聚焦环检查方法，包括：
9.根据权利要求8所述的聚焦环检查方法，其中，
10.根据权利要求9所述的聚焦环检查方法，其中，
11.根据权利要求10所述的聚焦环检查方法，其中，
12.根据权利要求11所述的聚焦环检查方法，其中，
13.根据权利要求11所述的聚焦环检查方法，其中，
14.根据权利要求10所述的聚焦环检查方法，其中，
15.根据权利要求14所述的聚焦环检查方法，其中，
16.一种基板处理装置，处理基板，其中，所述基板处
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种聚焦环检查装置，用于检查包括导热部件的聚焦环，其中，所述聚焦环检查装置包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环检查装置，其中，
3.根据权利要求2所述的聚焦环检查装置，其中，
4.根据权利要求3所述的聚焦环检查装置，其中，
5.根据权利要求1所述的聚焦环检查装置，其中，
6.根据权利要求5所述的聚焦环检查装置，其中，
7.根据权利要求5所述的聚焦环检查装置，其中，
8.一种聚焦环检查方法，包括：
9.根据权利要求8所述的聚焦环检查方法，其中，
10.根据权利要求9所述的聚焦环检查方法，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：成珍一，李东穆，金善一，李基龙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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