【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种处理液排放组件和处理液排放方法，并且更具体地，涉及一种能够排放来自基底处理设备的在处理基底的工艺期间在对基底进行处理之后的处理液的处理液排放组件和处理液排放方法。
技术介绍
1、对基底执行诸如光刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁的各种工艺以制造半导体装置或显示器。在这些工艺当中，清洁工艺是去除残留在基底上的颗粒的工艺并且可以在所述这些工艺之前和之后执行。
2、通常，清洁工艺包括将化学品供应到支撑在转动头上并旋转的基底上的工艺、通过将诸如去离子水(diw)的清洁液供应到基底上从基底去除化学品的工艺、通过将具有比清洁液低的表面张力的诸如异丙醇(ipa)的有机溶剂供应到基底上来用有机溶剂替换基底上的清洁液的工艺、以及从基底去除替换的有机溶剂的工艺。
3、清洁工艺可以包括将含有聚合物和溶剂的处理液供应到基底上的工艺。当将处理液施加到基底上并且然后含有挥发性成分的溶剂挥发时，聚合物在通过处理液的体积变化而固化的同时吸附颗粒。此后，通过去离子水将吸附了颗粒的聚合物从基底剥离，并且然后通过诸如ipa的有机溶剂
【技术保护点】
1.一种处理液排放组件，包括：
2.根据权利要求1所述的处理液排放组件，其中，所述基底处理设备执行：涂层形成工艺，用于通过在处理空间中将溶解液和可固化聚合物喷射到所述基底上形成聚合物涂层；以及剥离工艺，喷射剥离液以剥离固化在所述基底上的聚合物涂层，以执行通过使用所述可固化聚合物来清洁所述基底的工艺，并且
3.根据权利要求2所述的处理液排放组件，其中，所述剥离液包含去离子水(DI水)。
4.根据权利要求2所述的处理液排放组件，其中，所述基底处理设备执行在所述处理空间中将清洁液喷射到所述基底上以去除在所述剥离工艺期间在剥离了所述聚合物涂...
【技术特征摘要】
1.一种处理液排放组件，包括：
2.根据权利要求1所述的处理液排放组件，其中，所述基底处理设备执行：涂层形成工艺，用于通过在处理空间中将溶解液和可固化聚合物喷射到所述基底上形成聚合物涂层；以及剥离工艺，喷射剥离液以剥离固化在所述基底上的聚合物涂层，以执行通过使用所述可固化聚合物来清洁所述基底的工艺，并且
3.根据权利要求2所述的处理液排放组件，其中，所述剥离液包含去离子水(di水)。
4.根据权利要求2所述的处理液排放组件，其中，所述基底处理设备执行在所述处理空间中将清洁液喷射到所述基底上以去除在所述剥离工艺期间在剥离了所述聚合物涂层之后残留在所述基底上的残留物的去除工艺，并且
5.根据权利要求4所述的处理液排放组件，其中，所述清洁液包含异丙醇(ipa)。
6.根据权利要求1所述的处理液排放组件，其中，所述排出歧管形成为在所有方向上封闭的多边形容器形状或圆柱形状以限定所述容纳空间。
7.根据权利要求6所述的处理液排放组件，其中，所述排出歧管包括倾斜壁部分，所述倾斜壁部分形成为相对于所述容纳空间的所述底表面以预定角度倾斜，并且所述倾斜壁部分提供于所述排出歧管的侧表面的下侧的至少一部分上，使得所述排出歧管的宽度朝向所述排出管所连接到的所述底表面逐渐且线性地减小。
8.根据权利要求7所述的处理液排放组件，其中，所述倾斜壁部分形成为在朝向朝着所述容纳空间突出的所述排出管的方向上从所述倾斜壁部分的上端向下端倾斜。
9.根据权利要求6所述的处理液排放组件，其中，所述排出歧管包括弯曲壁部分，所述弯曲壁部分形成为凸出的弯曲形状，并且所述弯曲壁部分提供于所述排出歧管的侧表面的下侧的至少一部分上，使得所述排出歧管的宽度朝向所述排出管所连接到的所述底表面逐渐且非线性地减小。
10.根据权利要求9所述的处理液排放组件，其中，所述弯曲壁部分形成为使得与壁表面外部...
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