基板接合系统以及基板接合方法技术方案

本发明专利技术作为一种基板接合系统以及基板接合方法，公开了执行用于使基板表面亲水化的等离子体工艺时，控制基板的夹紧和解夹紧过程并在充分保持基板表面的亲水化的状态下，能够有效地执行通过脱水反应的基板接合的技术。基板接合系统包括基板处理装置，包括主处理装置以及压力调节单元，主处理装置通过等离子体工艺使基板表面亲水化，并包括工艺腔室、基板支承单元以及等离子体产生单元，基板支承单元配置于等离子体处理空间，并设有上部面和基板下面之间的隔开空间，等离子体产生单元在等离子体处理空间感应产生等离子体压力调节单元在等离子体处理空间和隔开空间之间调节压力；以及基板接合装置，利用脱水反应使得表面亲水化的基板之间接合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板接合系统以及基板接合方法，更详细地，涉及执行用于使基板表面亲水化的等离子体工艺时，去除基板的夹紧和解夹紧过程而在充分保持基板表面的亲水化的状态下可以通过脱水反应有效地执行基板接合。

技术介绍

1、为了半导体元件的高密度集成化，正在应用三维堆叠技术。与二维集成技术相比，三维堆叠技术可以通过大幅提高单位面积的集成度或缩短布线的长度来提高芯片的性能。同时，也可以通过以往的元件之间的结合来发挥新的特性。

2、三维堆叠技术大致有c2c(chip to chip)、c2w(chip to wafer)、w2w(wafer towafer)方式。

3、w2w堆叠方式是在堆叠晶圆和晶圆之后，通过切割(dicing)过程制造芯片的方式。随着键合工艺的数量与c2c方式或c2w方式相比明显减少，因此具有有利于大量生产的优点。

4、以往，由于各种技术限制等原因，在半导体制造工艺中应用c2c堆叠方式来制造三维堆叠半导体，但考虑到大量生产性以及速率，逐渐变为应用w2w堆叠方式的趋势。

5、尤其，比起仅考虑通过存储器半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板接合系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板接合系统，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的基板接合系统，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基...

【技术特征摘要】

1.一种基板接合系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板接合系统，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的基板接合系统，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：李济熙，金是勋，金经晩，洪荣杓，郑然赫，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：