【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板接合系统以及基板接合方法，更详细地，涉及执行用于使基板表面亲水化的等离子体工艺时，去除基板的夹紧和解夹紧过程而在充分保持基板表面的亲水化的状态下可以通过脱水反应有效地执行基板接合。
技术介绍
1、为了半导体元件的高密度集成化，正在应用三维堆叠技术。与二维集成技术相比，三维堆叠技术可以通过大幅提高单位面积的集成度或缩短布线的长度来提高芯片的性能。同时，也可以通过以往的元件之间的结合来发挥新的特性。
2、三维堆叠技术大致有c2c(chip to chip)、c2w(chip to wafer)、w2w(wafer towafer)方式。
3、w2w堆叠方式是在堆叠晶圆和晶圆之后，通过切割(dicing)过程制造芯片的方式。随着键合工艺的数量与c2c方式或c2w方式相比明显减少，因此具有有利于大量生产的优点。
4、以往，由于各种技术限制等原因，在半导体制造工艺中应用c2c堆叠方式来制造三维堆叠半导体，但考虑到大量生产性以及速率，逐渐变为应用w2w堆叠方式的趋势。
5、尤其，比起仅考虑通过存储器半导体之类的单纯堆叠来提高性能，当根据三维堆叠来提高芯片的性能时，w2w堆叠方式可能是更有效地选择。
6、作为一例，基板之间的接合可以通过等离子体处理使基板表面亲水化，并利用脱水反应使基板之间接合。这种混合键合方式的优点在于，通过增加接合面的表面能量来诱导界面间的共价键，从而即使用非常小的力也能够在基板之间进行接合。
7、混合键合方式在通过等离子体处理使基板
8、但是，由于对基板的夹紧和解夹紧过程需要时间，被亲水化处理的基板表面的羟基(-oh)的一定部分可能会消失，由此存在无法充分获得能够稳定地接合基板之间的脱水反应的问题。
9、另外，只有保持基板平坦展开的状态，才可能形成基板之间的整体面接合，但当基板扭曲时，存在产生无法适当地形成基板之间的接合的部位的问题。
技术实现思路
1、本专利技术是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，提供了一种通过等离子体处理的基板表面的亲水化以后，在短时间内执行基板之间的键合工艺，从而通过充分的脱水反应能够稳定地执行基板接合的方案。
2、尤其，是解决由于对基板的夹紧和解夹紧过程需要时间，被亲水化处理的基板表面的羟基(-oh)的一定部分可能会消失，由此无法充分获得能够稳定地接合基板之间的脱水反应的问题。
3、进一步，是解决只有保持基板平坦展开的状态，才可能形成基板之间的整体面接合，但当基板扭曲时，存在产生无法适当地形成基板之间的接合的部位的问题。
4、本专利技术的目的不限于前述的说明，通过以下说明可以理解未提及的本专利技术的其它目的以及优点。
5、根据本专利技术的基板接合系统的一实施例，可以是，包括：基板处理装置，包括主处理装置以及压力调节单元，所述主处理装置通过等离子体工艺使基板表面亲水化，并包括工艺腔室、基板支承单元以及等离子体产生单元，所述工艺腔室提供等离子体处理空间，所述基板支承单元配置于所述等离子体处理空间，并安放基板，并且设有上部面和基板下面之间的隔开空间，所述等离子体产生单元在所述等离子体处理空间感应产生等离子体所述压力调节单元在所述等离子体处理空间和所述隔开空间之间调节压力；以及基板接合装置，利用脱水反应使得表面亲水化的基板之间接合。
6、在此，可以是，所述基板支承单元不感应静电力且没有吸附力地安放支承基板。
7、作为一例，可以是，所述压力调节单元包括：第一压力调节线，连接于所述工艺腔室而提供所述等离子体处理空间的真空压；第二压力调节线，连接于所述基板支承单元而提供所述隔开空间的真空压；真空压泵，向所述第一压力调节线和所述第二压力调节线提供真空压；第一压力调节阀，配置于所述第一压力调节线而调节通过所述第一压力调节线形成的真空压；以及第二压力调节阀，配置于所述第二压力调节线而调节通过所述第二压力调节线形成的真空压，所述主处理装置还包括：控制构件，控制所述第一压力调节阀以及所述第二压力调节阀的开闭而在所述等离子体处理空间和所述隔开空间之间形成相同的压力。
8、进一步，可以是，所述基板处理装置还包括：过渡装置，配置于所述主处理装置的前端，并包括：过渡腔室，保持所述主处理装置的工艺环境；以及基板移送机器人，配置于所述过渡腔室，并向所述主处理装置移送基板；以及门构件，选择性地开放以及关闭所述主处理装置和所述过渡腔室之间。
9、优选地，可以是，所述压力调节单元在所述过渡装置的内部空间和所述主处理装置的等离子体处理空间之间调节压力。
10、作为一例，可以是，所述压力调节单元包括：第一压力调节线，连接于所述主处理装置的工艺腔室而提供所述等离子体处理空间的真空压；第三压力调节线，连接于所述过渡腔室而提供内部空间的真空压；真空压泵，向所述第一压力调节线和所述第三压力调节线提供真空压；第一压力调节阀，配置于所述第一压力调节线而调节通过所述第一压力调节线形成的真空压；以及第二压力调节阀，配置于所述第三压力调节线而调节通过所述第三压力调节线形成的真空压，所述主处理装置还包括：控制构件，控制所述第一压力调节阀以及所述第三压力调节阀的开闭而在所述过渡腔室的内部空间和所述主处理腔室的等离子体处理空间之间形成相同的压力。
11、作为一例，可以是，所述基板支承单元包括：介电板；基底板，支承所述介电板；多个支承销，在所述介电板的上面凸出悬浮支承被安放的基板；以及聚焦环，配置于所述介电板的外周围而支承基板的同时调节等离子体密度，不感应静电力且没有吸附力地在所述多个支承销安放支承基板。
12、进一步，可以是，所述基板接合系统还包括：清洗装置，清洗基板表面；以及移送模组，配置在所述基板处理装置、所述基板接合装置以及所述清洗装置之间而移送基板。
13、更进一步，可以是，所述基板接合系统还包括：检查装置，检查基板之间的接合状态。
14、作为一例，可以是，所述基板接合系统还包括：对齐装置，配置于所述基板接合装置的前端并对齐基板。
15、另外，根据本专利技术的基板接合方法的一实施例，可以是，包括：基板安放步骤，在设置于主处理腔室的工艺腔室的基板支承单元没有利用静电力进行卡紧地安放基板；压力调节步骤，通过压力调节单元，对应于所述工艺腔室的等离子体处理空间的压力来调节所述基板支承单元和所述基板之间的隔开空间的压力；基板处理步骤，通过所述主处理装置执行等离子体工艺而使所述基板表面亲水化；以及基板接合步骤，通过基板接合装置利用脱水反应使两个基板之间接合。
16、优选地，可以是，所述基板接合方法在执行所述基板处理步骤之后还包括：通过清洗装置清洗处理所述基板的表面的清洗步骤。
17、作为一例，可以是，在所述压力调节步骤中，控制构件控制配置于第一压力调节线的第一压力调节阀来调本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板接合系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板接合系统，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基板接合系统，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，
11.一种基板接合方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
14.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
15.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
16.根据权利要求11所述的基板接
17.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
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19.根据权利要求11所述的基板接合方法，其特征在于，
20.一种基板接合系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板接合系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板接合系统，其特征在于，
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10.根据权利要求8所述的基板接合系统，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：李济熙，金是勋，金经晩，洪荣杓，郑然赫，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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