【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空电子，更具体的说是涉及一种平面化的单周期反转磁聚焦结构。
技术介绍
1、目前，平面化和集成化是真空电子器件的一个重要发展方向。目前对平面多电子注的约束聚焦大多数采用均匀磁场聚焦方案。但均匀磁场聚焦结构体积大，不符合集成化、小型化的发展趋势，而采用平面化的单周期反转磁聚焦结构可以减低系统的重量。
2、因此，如何提供一种平面化的单周期反转磁聚焦结构是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，以解决
技术介绍
中存在的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，包括：
4、一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，包括：倒向极靴、第一极靴、第二极靴、第一永磁体、第二永磁体、磁屏、小磁块和真空密封管壳；
5、所述磁屏位于真空密封管壳的两端；
...
【技术保护点】
1.一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，包括：倒向极靴(1)、第一极靴(6)、第二极靴(7)、第一永磁体(2)、第二永磁体(5)、磁屏(3)、小磁块(4)和真空密封管壳(8)；
2.根据权利要求1所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述倒向极靴(1)两侧第一永磁体(2)的充磁方向相反。
3.根据权利要求2所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述小磁块(4)与同侧第一永磁体(2)的充磁方向相同。
4.根据权利要求1所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述磁屏(3)上下端的第二永...
【技术特征摘要】
1.一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，包括：倒向极靴(1)、第一极靴(6)、第二极靴(7)、第一永磁体(2)、第二永磁体(5)、磁屏(3)、小磁块(4)和真空密封管壳(8)；
2.根据权利要求1所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述倒向极靴(1)两侧第一永磁体(2)的充磁方向相反。
3.根据权利要求2所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述小磁块(4)与同侧第一永磁体(2)的充磁方向相同。
4.根据权利要求1所述的一种平面化的单周期反转磁聚焦结构，其特征在于，所述磁屏(3)上下端的第二永磁体(5)充磁相反，且磁场方向指向磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮存军，王鹏鹏，王文博，赵亚琦，赵可东，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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