【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其形成方法。
技术介绍
1、图像传感器广泛的应用在数码照相机、手机和其他各种电子消费类产品中。图像传感器是将光信号转换成电信号，进一步转换成可以容易处理、存储或传输的数字信号。
2、在背照式图像传感器制造工艺中，在形成背面深沟槽隔离结构(backside deeptrench isolation, bdti)的时候，通常在沟槽内依次填充氧化铝/氧化钽/氧化硅, 作为感光区的电性隔离区，氧化硅在一定程度上起到光学隔离。
3、传统工艺中，氧化硅通常采用原子层沉积的方法，该方法生长速率慢，费用较高。另外，最近氧化硅上方的滤光片的ri为1.8 左右，比氧化硅的ri值1.46高。所以光线从滤光片向氧化硅入射时有相当一部分光线被折射到相邻的像素，造成像素之间的串扰，而且不利于感光单元光信号的吸收。
4、因此，迫切需要寻找一种新工艺新材料来取代通过原子层沉积（atomic layerdeposition, ald）形成的氧化硅来实现从滤光片上方向下实现光线
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化铝或氧化铪、所述第二介质层为氧化钽。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三介质层为复合金属氧化物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在PVD设备的工艺腔中，形成所述第二介质层，再在ALD设备的同一工艺腔中，形成所述第三介质层。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在ALD设备的同一工艺腔中，形成所述第三介质层包括：
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三介质...
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化铝或氧化铪、所述第二介质层为氧化钽。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三介质层为复合金属氧化物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在pvd设备的工艺腔中，形成所述第二介质层，再在ald设备的同一工艺腔中，形成所述第三介质层。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在ald设备的同一工艺腔中，形成所述第三介质层包括：
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三介质层包括tixalyoz、tixsiyoz、alxsiyoz、hfxalyoz、taxalyoz、zrxalyoz、tixsiyoz、hfxsiyoz、taxsiyoz或zrxsiyoz中的至少一种。
【专利技术属性】
技术研发人员：李继刚，贺忻，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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