制造半导体器件的方法技术

提供了一种能够充分填充沟槽的制造半导体器件的方法。该方法包括：设置衬底，该衬底具有限定在其上的多个有源区域，该多个有源区域通过器件隔离膜彼此间隔开；通过去除有源区域的部分和器件隔离膜的部分，形成在一个方向上纵向延伸的多个字线沟槽；沿字线沟槽的内侧壁形成栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上形成填充字线沟槽的部分的字线，其中，形成字线包括：使用超临界流体沉积(SFD)方法，用金属层填充字线沟槽的部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。

技术介绍

1、随着半导体器件变得高度集成，单个电路图案正变得进一步小型化，以在相同面积内容纳更多半导体组件。换言之，随着半导体器件的集成水平提高，针对其组件的设计规则正在减少。

2、在高度规模化的半导体器件中，填充沟槽的工艺变得越来越具有挑战性。随着沟槽的尺寸减小，通过诸如原子层沉积(ald)或化学气相沉积(cvd)等技术用金属填充沟槽由于不充分的填充而导致沟槽内出现空隙。

技术实现思路

1、本公开的各方面提供了一种制造半导体器件的方法，该方法能够充分填充沟槽。

2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。

3、根据本公开的一方面，一种制造半导体器件的方法包括：设置衬底，所述衬底具有限定在其上的多个有源区域，所述多个有源区域通过器件隔离膜彼此间隔开；通过去除所述有源区域的部分和所述器件隔离膜的部分，形成在一个方向上纵向延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述还原气体在所述反应器内处于超临界状态。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属前体的配体由Cx、Hy和CxHy之一组成，其中，x和y是大于0的自然数。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属层包括Ru、Mo、Cu和TiN中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述还原气体包括H2或NH3。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，使用所述SFD方法填充所述字线沟槽的所述部分还包括：多次...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述还原气体在所述反应器内处于超临界状态。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属前体的配体由cx、hy和cxhy之一组成，其中，x和y是大于0的自然数。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属层包括ru、mo、cu和tin中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述还原气体包括h2或nh3。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，使用所述sfd方法填充所述字线沟槽的所述部分还包括：多次重复将所述金属前体和所述二氧化碳供应到所述反应器中、以及将所述还原气体供应到所述反应器中这两个操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用所述sfd方法填充所述字线沟槽的所述部分还包括：在多次重复将所述金属前体和所述二氧化碳供应到所述反应器中、以及将所述还原气体供应到所述反应器中这两个操作之后，用超临界二氧化碳冲洗所述反应器的内部。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述字线包括：使用所述sfd方法形成完全填充所述字线沟槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：权钟完，崔海圆，金润相，徐政业，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：