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提供了一种能够充分填充沟槽的制造半导体器件的方法。该方法包括：设置衬底，该衬底具有限定在其上的多个有源区域，该多个有源区域通过器件隔离膜彼此间隔开；通过去除有源区域的部分和器件隔离膜的部分，形成在一个方向上纵向延伸的多个字线沟槽；沿字线沟槽...
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