电阻式存储元件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的电阻式存储元件包括：下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，所述下电极包括下电极第一层和设置在所述下电极第一层上的下电极第二层，其中，所述下电极第二层为平面结构，所述阻变层的竖截面和所述上电极的竖截面均为U型结构。本发明专利技术提供的电阻式存储元件及其制备方法可以解决在现有的电阻式存储器在制备过程中容易出现上、下电极短路以及“导电纤维”的形成位置无法控制的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，更为具体地，涉及一种电阻式存储元件及其制备方法。

技术介绍

1、目前，现有的reram(电阻式存储器)的制作工艺一般为：首先，通过薄膜沉积、光刻、蚀刻、薄膜沉积、化学机械研磨完成下电极的制备，下电极包括下电极第一层和下电极第二层，随后进行薄膜沉积阻变层以及上电极，并完成相应的阻变层和上电极的制备；具体流程如图1所示。

2、对于reram器件而言，在rram器件的两端加一电压，若该电压超过“形成电压”(forming voltage)，则会在电极之间形成“导电纤维”(conductive filatment,cf)，从而实现整个reram器件进入低阻抗状态；然而，对于上述通过传统的制作工艺制备的reram来讲，由于其上、下电极不能有效聚集电场，因此，其达到形成“导电纤维”状态所需电压较高，所需的高电压又会对reram器件的性能产生较大影响。

3、为解决上述技术问题，本领域技术人员提出了相应的改善工艺，具体的改善艺案如图2所示，包括如下步骤：首先，通过薄膜沉积、光刻、蚀刻、薄膜沉积、化学机械等工艺研磨完成下电极第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻式存储元件，包括下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，其特征在于，

2.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的电阻式存储元件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的电阻式存储元件，其特征在于，

6.如权利要求1至5中任意一项所述的电阻式存储元件，其特征在于，

7.一种如权利要求1至6中任意一项所述的电阻式存储元件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

8.如权利要求7所述的电阻式存储元件的...

【技术特征摘要】

1.一种电阻式存储元件，包括下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，其特征在于，

2.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的电阻式存储元件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的电阻式存储元件，其特征在于，

6.如权利要求1至5中任意一项所述的电阻式存储元件，其特征在于，

7.一种如权利要求1至6中任意一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何兆兴，乔夫龙，崔凯，赵刘明，张适杰，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：