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本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的电阻式存储元件包括：下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，所述下电极包括下电极第一层和设置在所述下电极第一层上的下电极第二层，其中，所述下电极第二层为平面结构，所述阻变层...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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